[发明专利]一种半导体加工设备的液体流量校准系统及校准方法有效

专利信息
申请号: 201711225305.2 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN107731720B 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 刘春威;周仁;刘建强;王月;于棚 申请(专利权)人: 沈阳拓荆科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人: 陈福昌
地址: 110179 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 加工 设备 液体 流量 校准 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体加工设备的液体流量校准系统,其特征在于,包括:液体汽化器(1)、反应腔(2)、压力规(3)和控制单元(4),其中,液体汽化器(1)分别连接载气输入管路、液态源输入管路、混合气输出主管路和混合气输出旁路,载气输入管路上设置气体流量控制器(5),液态源输入管路上设置有液体流量控制器(6),混合气输出主管路连接液体汽化器(1)的出气口和反应腔(2)的进气口,混合气输出主管路上设置有第一阀门(7),混合气输出旁路与外界连通且其上设置有第二阀门(8),反应腔(2)的出气口经出气管路与外界连通,所述出气管路上设置有TV阀(9),压力规(3)用于测量反应腔(2)内的压力,控制单元(4)分别与气体流量控制器(5)、液体流量控制器(6)、第一阀门(7)、第二阀门(8)、TV阀(9)和压力规(3)连接,用于通过气体流量控制器(5)和液体流量控制器(6)控制载气和液态源的流量,通过第一阀门(7)和第二阀门(8)控制汽化后的气体流向,通过压力规(3)获得反应腔的压力,并通过调整TV阀(9)的开度控制反应腔(2)内的压力。

2.一种半导体加工设备的液体流量校准方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1:校准反应腔的腔体环境;

S2:按照预设的流量Q0向液体汽化器中通入液态源,液态源与载气混合后经混合气输出旁路输出;

S3:待液态源与载气的混合气体汽化稳定后,混合气体经混合气输出主管路通入反应腔,测量稳定压力P0;

S4:液态源流量逐次增加ΔQ,测量每次的稳定压力Pi(i=1,2,3…),直至液态源流量达到终止流量;

S5:根据获得的腔体稳定压力与液态源流量,计算关系因子R;

S6:重新校准反应腔的腔体环境,与S1设定的环境相同;

S7:按照流量Q0’=Q0*R/Re向液体汽化器中再次通入液态源,液态源与载气混合后经混合气输出旁路输出,其中,R为S5中计算得到的关系因子,Re为反应腔腔体稳定压力与液态源流量的关系因子的经验值;

S8:待液态源与载气的混合气体汽化稳定后,混合气体经混合气输出主管路通入反应腔,测量稳定压力P0’;

S9:液态源流量逐次增加ΔQ,测量每次的稳定压力Pi’(i=1,2,3…),直至液态源流量达到终止流量;

S10:根据S8和S9获得的腔体稳定压力与液态源流量,计算关系因子R’;

S11:比较R’与Re,如果两者的偏差在预设的范围内,则完成校准,否则重新执行S1~S11,直至完成校准。

3.按照权利要求2所述的半导体加工设备的液体流量校准方法,其特征在于:步骤S5和S10中的关系因子通过最小二乘法计算。

4.按照权利要求2或3所述的半导体加工设备的液体流量校准方法,其特征在于:在步骤S4和S9中,液态源的终止流量需保证混合气体在反应腔内为非饱和状态。

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