[发明专利]一种半导体加工设备的液体流量校准系统及校准方法有效
申请号: | 201711225305.2 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN107731720B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 刘春威;周仁;刘建强;王月;于棚 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 陈福昌 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 加工 设备 液体 流量 校准 系统 方法 | ||
1.一种半导体加工设备的液体流量校准系统,其特征在于,包括:液体汽化器(1)、反应腔(2)、压力规(3)和控制单元(4),其中,液体汽化器(1)分别连接载气输入管路、液态源输入管路、混合气输出主管路和混合气输出旁路,载气输入管路上设置气体流量控制器(5),液态源输入管路上设置有液体流量控制器(6),混合气输出主管路连接液体汽化器(1)的出气口和反应腔(2)的进气口,混合气输出主管路上设置有第一阀门(7),混合气输出旁路与外界连通且其上设置有第二阀门(8),反应腔(2)的出气口经出气管路与外界连通,所述出气管路上设置有TV阀(9),压力规(3)用于测量反应腔(2)内的压力,控制单元(4)分别与气体流量控制器(5)、液体流量控制器(6)、第一阀门(7)、第二阀门(8)、TV阀(9)和压力规(3)连接,用于通过气体流量控制器(5)和液体流量控制器(6)控制载气和液态源的流量,通过第一阀门(7)和第二阀门(8)控制汽化后的气体流向,通过压力规(3)获得反应腔的压力,并通过调整TV阀(9)的开度控制反应腔(2)内的压力。
2.一种半导体加工设备的液体流量校准方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1:校准反应腔的腔体环境;
S2:按照预设的流量Q0向液体汽化器中通入液态源,液态源与载气混合后经混合气输出旁路输出;
S3:待液态源与载气的混合气体汽化稳定后,混合气体经混合气输出主管路通入反应腔,测量稳定压力P0;
S4:液态源流量逐次增加ΔQ,测量每次的稳定压力Pi(i=1,2,3…),直至液态源流量达到终止流量;
S5:根据获得的腔体稳定压力与液态源流量,计算关系因子R;
S6:重新校准反应腔的腔体环境,与S1设定的环境相同;
S7:按照流量Q0’=Q0*R/Re向液体汽化器中再次通入液态源,液态源与载气混合后经混合气输出旁路输出,其中,R为S5中计算得到的关系因子,Re为反应腔腔体稳定压力与液态源流量的关系因子的经验值;
S8:待液态源与载气的混合气体汽化稳定后,混合气体经混合气输出主管路通入反应腔,测量稳定压力P0’;
S9:液态源流量逐次增加ΔQ,测量每次的稳定压力Pi’(i=1,2,3…),直至液态源流量达到终止流量;
S10:根据S8和S9获得的腔体稳定压力与液态源流量,计算关系因子R’;
S11:比较R’与Re,如果两者的偏差在预设的范围内,则完成校准,否则重新执行S1~S11,直至完成校准。
3.按照权利要求2所述的半导体加工设备的液体流量校准方法,其特征在于:步骤S5和S10中的关系因子通过最小二乘法计算。
4.按照权利要求2或3所述的半导体加工设备的液体流量校准方法,其特征在于:在步骤S4和S9中,液态源的终止流量需保证混合气体在反应腔内为非饱和状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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