[发明专利]发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置有效

专利信息
申请号: 201711224640.0 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN107994124B 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 陈右儒 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光二极管 及其 制备 方法 阵列 电子 装置
【说明书】:

一种发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置,该发光二极管包括:衬底基板,层叠设置在所述衬底基板上的第一电极、量子柱发光层以及第二电极,其中,所述量子柱发光层包括多个量子柱,多个所述量子柱呈定向排列。本公开的实施例中的多个量子柱呈定向排列,在对第一电极和第二电极加电的条件下可以产生偏振光。

技术领域

本公开的实施例涉及一种发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置。

背景技术

发光二极管(LED)因其能耗低、发热少、寿命长等优点,在照明装置和显示装置中的应用越来越广泛。LED中的有机发光二极管(OLED)在封装技术及使用寿命上都存在着无法避免的问题。量子点(QD)或者量子柱(QR)具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点,成为目前LED发光材料的研究热点。因此,以量子点或者量子柱作为发光层的量子点/柱发光二极管(QLED)成为了目前新型LED研究的主要方向。量子点/柱发光二极管(QLED)在照明以及显示技术领域中具有广阔的应用前景。

量子柱同量子点类似,具有光学特性,例如吸光特性和发光特性。量子柱发出光的波长与量子柱的尺寸和材料有关。通过调节量子柱的尺寸和材料可以调节量子柱的发光波长,量子柱的发光波长可以覆盖整个可见光的波长范围。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种发光二极管,该发光二极管包括:衬底基板,层叠设置在所述衬底基板上的第一电极、量子柱发光层以及第二电极,其中,所述量子柱发光层包括多个量子柱,多个所述量子柱呈定向排列。

例如,在本公开至少一实施例提供的发光二极管中,所述定向排列包括多个所述量子柱平行于所述衬底基板所在平面定向排列、多个所述量子柱与所述衬底基板所在平面呈锐角定向排列或者多个所述量子柱垂直于所述衬底基板所在平面定向排列。

例如,在本公开至少一实施例提供的发光二极管中,各个所述量子柱的长径比为2~50。

例如,本公开至少一实施例提供的发光二极管,还包括第三电极和第四电极,其中,所述第三电极和所述第四电极配置为在加电状态下产生平行或者基本平行于所述衬底基板所在平面的电场。

例如,在本公开至少一实施例提供的发光二极管中,所述第三电极和所述第四电极设置在同一层,且均为狭缝状电极。

例如,在本公开至少一实施例提供的发光二极管中,所述第三电极与所述量子柱发光层设置在同一层或者不同层。

例如,在本公开至少一实施例提供的发光二极管中,所述第三电极和所述第四电极设置在不同层,所述第三电极为狭缝状电极,所述第四电极为板状电极。

例如,在本公开至少一实施例提供的发光二极管中,所述第三电极与所述量子柱发光层设置在同一层,或者,所述第三电极和所述第四电极设置在所述量子柱发光层的靠近所述衬底基板的一侧。

例如,本公开至少一实施例提供的发光二极管,还包括第五电极,所述第五电极和所述第一电极在加电状态下产生平行或者基本平行于所述衬底基板所在平面的电场。

例如,在本公开至少一实施例提供的发光二极管中,所述第一电极包括第一子电极和第二子电极,所述第一子电极和所述第二子电极设置在同一层,且配置为在加电状态下产生平行或者基本平行于所述衬底基板所在平面的电场。

例如,本公开至少一实施例提供的发光二极管还包括位于所述第一电极与所述量子柱发光层之间或所述第二电极与所述量子柱发光层之间的功能层,其中,所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层或电子传输层。

例如,在本公开至少一实施例提供的发光二极管中,所述第一电极设置在所述衬底基板与所述空穴注入层之间,所述第二电极设置在所述电子传输层的远离所述衬底基板的一侧。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711224640.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top