[发明专利]发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

衬底基板，

层叠设置在所述衬底基板上的第一电极、量子柱发光层以及第二电极，

其中，所述量子柱发光层包括多个量子柱，多个所述量子柱呈定向排列；

所述发光二极管还包括第三电极和第四电极，所述第三电极和所述第四电极配置为在加电状态下产生平行于所述衬底基板所在平面的电场；

所述第三电极和所述第四电极设置在同一层且均为狭缝状电极；

多个所述量子柱均匀分布于所述第三电极和所述第四电极的间隙中；

各个所述量子柱的长径比大于2且小于50。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括位于所述第一电极与所述量子柱发光层之间或所述第二电极与所述量子柱发光层之间的功能层，其中，所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层或电子传输层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，所述第一电极设置在所述衬底基板与所述空穴注入层之间，所述第二电极设置在所述电子传输层的远离所述衬底基板的一侧。

4.一种发光二极管阵列基板，包括权利要求1～3中任一项所述的发光二极管。

5.根据权利要求4所述的发光二极管阵列基板，还包括像素界定层，其中，所述像素界定层包括凹槽，所述量子柱发光层形成在所述凹槽中。

6.一种电子装置，包括权利要求4或5所述的发光二极管阵列基板。

7.一种发光二极管的制备方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成层叠的第一电极、量子柱发光层以及第二电极；

在所述衬底基板上形成第三电极和第四电极；

其中，所述量子柱发光层包括多个量子柱，多个所述量子柱呈定向排列；

所述第三电极和所述第四电极在加电状态下产生平行于所述衬底基板所在平面的电场；

所述第三电极和所述第四电极设置在同一层且均为狭缝状电极；

多个所述量子柱均匀分布于所述第三电极和所述第四电极的间隙中；

各个所述量子柱的长径比大于2且小于50。

8.根据权利要求7所述的制备方法，还包括在所述衬底基板上形成位于所述第一电极与所述量子柱发光层之间或所述第二电极与所述量子柱发光层之间的功能层，其中，所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层或电子传输层。