[发明专利]形成具有增进可湿侧翼的经封装半导体装置的方法及结构在审
申请号: | 201711223283.6 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN109494200A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 佩特罗·乔伊·瑞凡娜·玛蒂 | 申请(专利权)人: | 艾马克科技公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/48;H01L21/56 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑;王兴 |
地址: | 美国亚利桑那州85*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子装置 外侧表面 侧翼 内侧表面 电连接 封装体 封装半导体装置 囊封 封装 侧表面 传导层 基板 | ||
本发明提供一种形成具有增进可湿侧翼的经封装半导体装置的方法及结构。一种经封装的电子装置包括具有引线的基板。引线包括具有第一高度的面向外侧表面和具有小于第一高度的第二高度的面向内侧表面。电子装置电连接到引线。封装体囊封电子装置和引线的一部分。面向外侧表面经由封装体的侧表面露出,且面向内侧表面被封装体囊封。传导层设置在面向外侧表面上以提供具有增进可湿侧翼的经封装的电子装置。在一个实施例中,电子装置电连接到具有面向外侧表面的厚端子部分。在另一个实施例中,电子装置电连接到具有面向内侧表面的薄端子部分。
技术领域
本发明总体上涉及一种电子装置,并且更具体地涉及一种半导体封装、其结构以及形成所述半导体封装的方法。
背景技术
过去,诸如塑料四方平面封装无引脚(Plastic Quad Flat Pack No-lead,PQFN)或四方平面封装无引脚暴露衬垫(Quad Flat Pack No-Lead Exposed Pad,QFN-EP)封装的半导体封装尚未易于焊接视觉上暴露的端子,因为上述的封装设计在所述半导体封装的下侧具有用于焊料接点的端子。在单一化分割之后所暴露的这种半导体封装的边缘上的端子是由暴露的铜构成。由于铜的氧化,暴露的铜不易焊料湿润。因此,所述半导体封装已经有效地焊接至下一级组装件(例如印刷电路板)的视觉判断不能通过光学观察来执行。电气测试是确定焊接端子电连接的唯一方法。有一些应用程序对所有端子进行全面的电气测试是困难的或不完整的。因此,在诸如汽车应用的高可靠性应用中,希望目测检查端子焊料接点的完整性。正是为了这些目的,已经开发了为半导体封装的电镀焊料端子的可湿侧翼(wettable flank)以作为用于确定焊接操作有效性的视觉辅助。
可湿侧翼电镀是额外的制程步骤,其在半导体封装下侧端子上和暴露的边缘端子或侧翼上沉积具有正常传导材料厚度的可焊接传导材料(例如锡)。可湿侧翼电镀保护铜并且允许在端子的这个外部侧翼区域上发生焊接,使得可以进行光学检查来验证良好的焊料带接点(solder fillet joint),并且因此具有良好的电连接。尽管在可湿侧翼制程中已经有了些进展,但是仍需要改进传导基板结构以及形成这种结构的方法来进一步增进可湿侧翼。
因此,期望提供一种提供经封装的半导体装置的方法和结构,其改进传导基板的侧表面或侧翼表面的可湿表面覆盖。所述结构和方法也可以容易地并入到制造流程中,适应多个晶粒互连方案,并且成本效益高。
发明内容
除了其他特征之外,本案说明书包括经封装的电子装置结构和相关联的方法,其包括具有与相关装置相比有增加的高度的暴露的侧表面或侧翼表面的引线结构。暴露的侧表面提供增进可湿侧翼表面,其在经封装的电子装置附接到下一层组装件(例如印刷电路板)时改善接合完整性。此外,增加的高度增进了对经封装的电子装置与下一级组装件之间形成的焊料接点的光学检测。与先前的方法相比,所述结构和方法通过促进更强的焊料接点来提供改进的可靠性。所述结构和方法适用于经封装的半导体装置和其他电子装置,所述经封装的半导体装置和其他电子装置(包括但不限于功率半导体装置)具有配置用于随后沉积可焊材料的暴露的侧翼或侧表面。所述引线结构可以被设置为例如引线框基板、积层(build-up)基板或模制基板中的一部分。
更具体地,在一个实施例中,一种经封装的电子装置包括具有引线的基板。所述引线包括具有第一高度的面向外侧表面和具有小于第一高度的第二高度的面向内侧表面。电子装置电连接到所述引线。所述封装体囊封所述电子装置和部分的所述引线。所述面向外侧表面经由所述封装体的侧表面暴露,并且所述面向内侧表面被所述封装体囊封。传导层设置在面向外侧表面上,以提供具有增进可湿侧翼的所述经封装的电子装置。在一个实施例中,所述电子装置电连接到具有面向外侧表面的厚端子部分。在另一个实施例中,所述电子装置电连接到具有面向内侧表面的薄端子部分。在另一个实施例中,所述引线具有厚度大于或等于约250微米的第一端子部分。
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