[发明专利]发光二极管封装体及其制造方法有效
| 申请号： | 201711213331.3 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109841721B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 郑荣;金尚彦;金赫骏 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L33/50;H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;舒艳君 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装体，其特征在于，
包括：
相互分开配置的第一引线以及第二引线；
壳体，支撑所述第一引线以及第二引线，并包括使所述第一引线以及第二引线中任意一个以上的上表面一部分露出的腔室；
发光二极管芯片，配置于所述壳体的腔室内；
第一波长部，仅配置于所述发光二极管芯片的上部，并对由所述发光二极管芯片释放的光进行波长转换；以及
第二波长部，以覆盖所述腔室的底面的方式配置，并对由所述发光二极管芯片释放的光进行波长转换，
其中，所述第一波长部和所述第二波长部中的每一个均包括荧光体，
其中，所述第一波长部的荧光体与所述第二波长部的荧光体是同一种类，
其中，所述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度相互不同，
其中，在所述第一波长部和所述第二波长部上覆盖有硅树脂，
其中，所述第一波长部被配置成与所述第二波长部间隔开。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，
所述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度的比率为1:1.5至1:3。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，
所述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度的比率为1:2。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，
所述壳体包括所述腔室的内侧面由倾斜面形成的面，
所述第二波长部以覆盖所述倾斜面的至少一部分的方式配置。
5.根据权利要求4所述的发光二极管封装体，其特征在于，
以覆盖所述倾斜面的方式配置的第二波长部配置成：在与所述腔室的底面相邻的位置处的平均厚度比所述第一波长部的平均厚度厚，并且在与所述腔室的上部相邻的位置处的平均厚度比所述第一波长部的平均厚度薄。
6.根据权利要求4所述的发光二极管封装体，其特征在于，
以覆盖所述倾斜面的方式配置的第二波长部配置成：随着从所述腔室的底面朝向上方，覆盖所述倾斜面的第二波长部的平均厚度变薄。
7.一种发光二极管封装体，其特征在于，
包括：
相互分开配置的第一引线以及第二引线；
壳体，支撑所述第一引线以及第二引线，并包括使所述第一引线以及第二引线中任意一个的上表面一部分露出的腔室；
发光二极管芯片，配置于所述壳体的腔室内；
第一波长部，仅配置于所述发光二极管芯片的上部，并对由所述发光二极管芯片释放的光进行波长转换；以及
第二波长部，以覆盖所述腔室的底面和倾斜面的方式配置，并对由所述发光二极管芯片释放的光进行波长转换，
其中，所述第一波长部和所述第二波长部中的每一个均包括荧光体，
其中，所述第一波长部的荧光体与所述第二波长部的荧光体是同一种类，
其中，所述腔室的侧面由倾斜面形成，
其中，所述第二波长部配置成：以随着从所述倾斜面的下部朝向上部而变薄的方式覆盖所述倾斜面，
其中，在所述第一波长部和所述第二波长部上覆盖有硅树脂，
其中，所述第一波长部被配置成与所述第二波长部间隔开。
8.根据权利要求7所述的发光二极管封装体，其特征在于，
所述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度相互不同。
9.根据权利要求8所述的发光二极管封装体，其特征在于，
所述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度的比率为1:1.5至1:3。
10.根据权利要求8所述的发光二极管封装体，其特征在于，
所述第一波长部的平均厚度与第二波长部的平均厚度的比率为1:2。
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