[发明专利]半导体设备及其制造方法

说明书

本发明提供了一种半导体设备及其制造方法，半导体设备包括：半导体基板；以及形成在所述半导体基板上的无源元件，上述无源元件包括：第一多晶硅层、硅化物阻止层和第一自对准硅化物层，所述硅化物阻止层形成于所述第一多晶硅层上并覆盖所述第一多晶硅层的上表面的至少一部分，所述第一自对准硅化物层覆盖所述硅化物阻止层的上表面。本发明通过在硅化物阻止层的上表面形成第一自对准硅化物层，从而可以减小无源组件产生的寄生电信号。因此可以减小无源组件产生的干扰。

技术领域

本发明涉及一种半导体设备及其制造方法，特别是涉及一种具有自对准硅化物(salicide)层的半导体设备及其制造方法。

背景技术

常见的电子设备包括无源组件和电路。无源组件通常会产生寄生电信号(Parasitic electricity)，例如寄生电阻、寄生电容和/或寄生电感。然而，此类寄生电信号或者寄生元件会对电路产生干扰。因此，减少由无源组件产生的干扰十分重要。

发明内容

本发明提供一种半导体设备及其制造方法，以解决上述问题。

本发明提供了一种半导体设备，包括：半导体基板；以及形成在所述半导体基板上的无源元件，上述无源元件包括：第一多晶硅层、硅化物阻止层和第一自对准硅化物层，所述硅化物阻止层形成于所述第一多晶硅层上并覆盖所述第一多晶硅层的上表面的至少一部分，所述第一自对准硅化物层覆盖所述硅化物阻止层的上表面。

本发明提供了一种半导体设备制造方法，包括：提供半导体基板；在所述半导体基板的绝缘部上形成第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层上形成硅化物阻止层，在所述硅化物阻止层上形成第二多晶硅层，所述硅化物阻止层覆盖所述第一多晶硅层的上表面的至少一部分；形成反应层，所述反应层覆盖所述第二多晶硅层；通过所述第二多晶硅层与所述反应层反应，形成第一自对准硅化物层。

本发明通过在半导体基板上的无源组件中形成覆盖第一多晶硅层的硅化物阻止层，且在硅化物阻止层的上表面形成第一自对准硅化物层，从而可以减小无源组件产生的寄生电信号。因此，本发明可以减小无源组件产生的干扰。

在结合附图阅读本发明的实施例的以下详细描述之后，本发明的各种目的、特征和优点将是显而易见的。然而，这里使用的附图仅以解释说明为目的，而不应被视为本发明的限制。

附图说明

在浏览了下文的具体实施方式和相应的附图后，本领域技术人员将更容易理解上述本发明的目的和优点。

图1A是本发明半导体设备一实施例的结构示意图。

图1B是图1A中半导体设备沿1B-1B’方向的剖视图。

图1C是图1A中半导体设备沿1C-1C’方向的剖视图。

图2A至图2F是图1B中的半导体设备的制造过程示意图。

具体实施方式

图1A根据本发明的实施例例示了半导体设备100的示意图，图1B是图1A中半导体设备100沿1B-1B’方向的剖视图，而图1C是图1A中半导体设备100沿1C-1C’方向的剖视图。

例如，半导体设备100可以是存储设备，比如金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)设备等。半导体设备100包括半导体基板110、第一绝缘部112、第二绝缘部114、至少一个MOS 120、无源组件130、第一触点140、控制器145、第二触点150、第三触点150’以及层结构160。