[发明专利]半导体设备及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体设备，包括：

半导体基板；以及

形成在所述半导体基板上的无源元件，包括：第一多晶硅层、硅化物阻止层和第一自对准硅化物层，所述硅化物阻止层形成于所述第一多晶硅层上并覆盖所述第一多晶硅层的上表面的至少一部分，所述第一自对准硅化物层覆盖所述硅化物阻止层的整个上表面。

2.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第一自对准硅化物层还覆盖所述第一多晶硅层的上表面中未被所述硅化物阻止层覆盖的部分。

3.如权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述第一自对准硅化物层包括第一硅化部、第二硅化部和第三硅化部，其中所述第一硅化部覆盖所述硅化物阻止层的整个上表面，所述第二硅化部和所述第三硅化部覆盖所述第一多晶硅层的上表面中未被所述硅化物阻止层覆盖的部分。

4.如权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述第二硅化部和所述第三硅化部位于所述硅化物阻止层的相对两侧并通过所述硅化物阻止层相隔离。

5.如权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述第一硅化部通过所述硅化物阻止层的一个侧表面与所述第二硅化部分离，所述第一硅化部通过所述硅化物阻止层的另一个侧表面与所述第三硅化部分离。

6.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，还包括第一触点，所述第一触点形成于所述第一自对准硅化物层，与控制器电连接以向所述无源元件提供恒定或可控电压。

7.如权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，还包括第二触点和/或第三触点，所述第二触点形成于所述第二硅化部和/或所述第三触点形成于所述第三硅化部上，所述第二触点和/或所述第三触点与控制器电连接以向所述无源元件提供恒定或可控电压。

8.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，还包括：

金属氧化物半导体，形成于所述半导体基板上；

第二自对准硅化物层，形成于所述金属氧化物半导体上的多晶硅层的上表面。

9.如权利要求8所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体基板还包括嵌入所述半导体基板的上表面的绝缘部，所述无源元件形成于所述绝缘部上；其中，所述半导体设备还包括第三自对准硅化物层，所述第三自对准硅化物层覆盖所述半导体基板的上表面上除所述绝缘部和所述金属氧化物半导体以外的部分。

10.一种半导体设备制造方法，包括：

提供半导体基板；

在所述半导体基板的绝缘部上形成第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层上形成硅化物阻止层，在所述硅化物阻止层上形成第二多晶硅层，所述硅化物阻止层覆盖所述第一多晶硅层的上表面的至少一部分；

形成反应层，所述反应层覆盖所述第二多晶硅层；以及

通过所述第二多晶硅层与所述反应层反应，形成第一自对准硅化物层，所述第一自对准硅化物层覆盖所述硅化物阻止层的整个上表面。

11.如权利要求10所述的半导体设备制造方法，其特征在于，所述反应层进一步覆盖所述第一多晶硅层的上表面中未被所述硅化物阻止层覆盖的部分。

12.如权利要求10所述的半导体设备制造方法，其特征在于，所述反应层还覆盖所述半导体基板的上表面以及形成于所述半导体基板上的金属氧化物半导体，其中通过所述半导体基板的上表面和所述金属氧化物半导体与所述反应层反应，分别形成第二自对准硅化物层和第三自对准硅化物层。

13.如权利要求10所述的半导体设备制造方法，其特征在于，进一步包括：在形成所述第一自对准硅化物层后移除所述反应层。

14.如权利要求13所述的半导体设备制造方法，其特征在于，进一步包括：形成覆盖所述第一自对准硅化物层、所述第一多晶硅层和所述硅化物阻止层的层结构。