[发明专利]一种可编程存储单元及其控制方法

说明书

本发明公开了一种可编程存储单元及其控制方法，本发明通过设置一个可编程连接结构，在写入信息后，可编程连接结构接收编程电压并将其输入浮栅中，则在编程电压的作用下，在浮栅晶体管中形成一个电阻，以解决现有存储器存储数据易丢失的技术问题，提高存储单元的数据稳定性，确保数据不易丢失。

技术领域

本发明涉及存储器领域，尤其是一种可编程存储单元及其控制方法。

背景技术

目前，现有的EEPROM在辐照环境中，单个空间高能带电粒子击中微电子器件的灵敏部位(浮栅)，失去电子的原子或分子成为带正电荷的离子，就产生了电子－空穴对；自由电子能量足够时，会碰撞材料中其他中性原子或分子而产生新的电子－空穴对。一般荷电粒子穿过各种物质，只要损失大于30电子伏的能量，就能产生一对电子－空穴对。这些过剩的电子－空穴对造成电离损伤由于电离作用产生额外电荷，使器件逻辑状态改变。即现有EEPROM存储单元在辐照效应下，EEPROM结构中的存储电子容易摆脱栅氧化层的束缚，造成浮栅上存储的电子流失，导致存储数据丢失。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种可编程存储单元及其控制方法，用于提高存储单元的数据稳定性，确保数据不易丢失。

本发明所采用的技术方案是：一种可编程存储单元，包括位线、字线、衬底、在衬底上形成的存储晶体管和选择晶体管，所述存储晶体管为浮栅晶体管，所述选择晶体管的源极与存储晶体管的漏极连接，所述选择晶体管的栅极与字线连接，所述选择晶体管的漏极与位线连接，所述可编程存储单元还包括与浮栅晶体管的浮栅接触的可编程连接结构，所述可编程连接结构用于在对所述可编程存储单元进行编程时接收编程电压并将其输入浮栅中，在所述编程电压的作用下，在所述浮栅晶体管中形成一个电阻。

进一步地，所述可编程存储单元还包括设置于所述衬底上方的栅氧化层。

进一步地，所述衬底为P型衬底。

进一步地，所述可编程存储单元还包括设置于P型衬底中的N+埋层、N+有源区源极和N+有源区漏极，以及设置于所述栅氧化层中的浮栅、控制栅和选择栅，所述控制栅位于浮栅上方；所述可编程存储单元还包括从栅氧化层的表面下凹的接触槽，所述接触槽填充有导电物质；所述接触槽包括下凹至所述N+有源区源极的源极接触槽、下凹至所述浮栅的浮栅接触槽、下凹至所述控制栅的控制栅接触槽、下凹至所述选择栅的选择栅接触槽和下凹至所述N+有源区漏极的漏极接触槽；

所述N+埋层、选择栅和N+有源区漏极分别作为所述选择晶体管的源极、栅极和漏极；所述N+有源区源极、控制栅和N+埋层分别作为所述存储晶体管的源极、栅极和漏极；所述浮栅接触槽为可编程连接结构。

进一步地，所述导电物质为金属。

进一步地，所述浮栅接触槽的大小和控制栅接触槽的大小一致。

进一步地，所述栅氧化层为二氧化硅。

进一步地，所述编程电压范围为17￣20V。

本发明所采用的另一技术方案是：一种可编程存储单元的控制方法，应用于所述的可编程存储单元，所述可编程存储单元的控制方法包括对所述可编程存储单元进行编程的方法：

对所述可编程存储单元进行编程时，

在可编程连接结构施加编程电压，

所述可编程连接结构接收所述编程电压并将其输入浮栅中，则在所述编程电压的作用下，在浮栅晶体管中形成一个电阻。

进一步地，所述可编程存储单元的控制方法还包括对所述可编程存储单元进行读写的方法：

写步骤：当所述可编程存储单元存储的信息为1时，设置字线为高电位，位线为高电位以将所述信息写入所述浮栅中；