[发明专利]一种可编程存储单元及其控制方法

权利要求书

1.一种可编程存储单元，包括位线、字线、衬底、在衬底上形成的存储晶体管和选择晶体管，所述存储晶体管为浮栅晶体管，所述选择晶体管的源极与存储晶体管的漏极连接，所述选择晶体管的栅极与字线连接，所述选择晶体管的漏极与位线连接，其特征在于，所述可编程存储单元还包括与浮栅晶体管的浮栅接触的可编程连接结构，所述可编程连接结构用于在对所述可编程存储单元进行编程时接收编程电压并将其输入浮栅中，在所述编程电压的作用下，在所述浮栅晶体管中形成一个电阻。

2.根据权利要求1所述的可编程存储单元，其特征在于，所述可编程存储单元还包括设置于所述衬底上方的栅氧化层，所述栅氧化层上设置有所述存储晶体管的浮栅、控制栅和所述选择晶体管的选择栅，所述存储晶体管的控制栅位于所述浮栅晶体管的浮栅上方。

3.根据权利要求2所述的可编程存储单元，其特征在于，所述衬底为P型衬底。

4.根据权利要求3所述的可编程存储单元，其特征在于，所述可编程存储单元还包括设置于P型衬底中的N+埋层、N+有源区源极和N+有源区漏极；所述可编程存储单元还包括从栅氧化层的表面下凹的接触槽，所述接触槽填充有导电物质；所述接触槽包括下凹至所述N+有源区源极的源极接触槽、下凹至所述浮栅的浮栅接触槽、下凹至所述控制栅的控制栅接触槽、下凹至所述选择栅的选择栅接触槽和下凹至所述N+有源区漏极的漏极接触槽；

所述N+埋层、选择栅和N+有源区漏极分别作为所述选择晶体管的源极、栅极和漏极；所述N+有源区源极、控制栅和N+埋层分别作为所述存储晶体管的源极、栅极和漏极；所述浮栅接触槽为可编程连接结构。

5.根据权利要求4所述的可编程存储单元，其特征在于，所述导电物质为金属。

6.根据权利要求4所述的可编程存储单元，其特征在于，所述浮栅接触槽的大小和控制栅接触槽的大小一致。

7.根据权利要求2至6任一项所述的可编程存储单元，其特征在于，所述栅氧化层为二氧化硅。

8.根据权利要求1至6任一项所述的可编程存储单元，其特征在于，所述编程电压范围为17～20V。

9.一种可编程存储单元的控制方法，应用于权利要求1至8任一项所述的可编程存储单元，其特征在于，所述可编程存储单元的控制方法包括对所述可编程存储单元进行编程的方法：

对所述可编程存储单元进行编程时，

在可编程连接结构施加编程电压，

所述可编程连接结构接收所述编程电压并将其输入浮栅中，则在所述编程电压的作用下，在浮栅晶体管中形成一个电阻。

10.根据权利要求9所述的可编程存储单元的控制方法，其特征在于，所述可编程存储单元的控制方法还包括对所述可编程存储单元进行读写的方法：

写步骤：当所述可编程存储单元存储的信息为1时，设置字线为高电位，位线为高电位以将所述信息写入所述浮栅中；

所述可编程存储单元存储的信息为0时，设置所述字线为高电位，所述位线为低电位以将所述信息写入所述浮栅中；

读步骤：当读取所述可编程存储单元存储的信息时，设置所述字线为高电位以将所述存储的信息传送到所述位线上。