[发明专利]引线框架在审

专利信息
申请号: 201711191907.0 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN107768341A 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 孙兴磊;付兴林 申请(专利权)人: 中山复盛机电有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 中山市捷凯专利商标代理事务所(特殊普通合伙)44327 代理人: 杨连华,陈玉琼
地址: 528437 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 引线 框架
【说明书】:

【技术领域】

本申请属于集成电路技术领域,尤其涉及一种引线框架。

【背景技术】

引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝和铜丝等)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。

现有的引线框架,由于其上下边缘存在波浪起伏的问题,在出厂时无法满足客户需求,时常接到客户抱怨,其根本原因是引线框架中间部分冲孔较多,受模具冲裁力的影响,中间部分收缩较引线框架的边缘明显,在出模时中间部分会因应力不均导致其长度比边缘长度短,造成波浪现象。

鉴于上述存在的技术问题,本申请人作了合理改进,下面将要介绍的技术便是基于该前提下产生的。

发明内容】

为解决现有的引线框架存在波浪起伏的问题,本申请提供一种引线框架,其能有效解决出现波浪起伏现象的问题,使波浪起伏度达到客户需求。

本申请为解决其技术问题所采用的技术方案:

引线框架,包括多个相互拼接的子框架,每个所述子框架包括多个相连的芯片安装单元,相邻所述子框架间设有条形槽,所述条形槽内至少设有一个与相邻子框架相连用于在引线框架冲孔时修正引线框架起伏度的修正片。

如上所述的引线框架,所述修正片的上端和/或下端内凹形成开口向上或向下的圆弧凹面。

如上所述的引线框架,所述修正片设有两个,且两个所述修正片以所述条形槽的中心上下对称设置。

如上所述的引线框架,所述修正片设有三个,且三个所述修正片均布间隔设于所述条形槽内。

如上所述的引线框架,所述子框架的上下两侧设有与子框架相连的定位长条,所述定位长条上开设有用于在冲孔时定位引线框架的定位孔。

如上所述的引线框架,所述芯片安装单元包括主芯片体及与主芯片体相连的固定引脚,所述主芯片体上位于所述固定引脚的两侧延伸有两个可弯折成集成电路的引脚的金属条。

如上所述的引线框架,所述芯片安装单元上设有多条交错相连的连接筋,所述连接筋的一端与相连,另一端与框架结构的边筋相连。

与现有技术相比,本申请的有如下优点:

1、本申请的引线框架,通过在条形槽的中间部分增设修正片,以点对点的方式使引线框架中间部分延展变长,使中间部分和上下两边缘的长度差异减到最小,达到平衡以调整波浪起伏度;

2、本申请的引线框架,调试方便,通过在条形槽的中间部分增设修正片可自动调整引线框架的起伏度,减少时间的浪费,提升机台稼功率。

【附图说明】

图1是本申请的引线框架的结构示意图;

图2是图1的A部放大示意图。

【具体实施方式】

下面将结合附图及具体实施例对本申请作进一步说明。

如图1和图2所示,引线框架,包括多个相互拼接的子框架1,每个所述子框架包括多个相连的芯片安装单,11,相邻所述子框架间设有条形槽12,所述条形槽内至少设有一个与相邻子框架相连用于在引线框架冲孔时修正引线框架起伏度的修正片2。具体地,所述修正片设有两个,且两个所述修正片以所述条形槽的中心上下对称设置。当然,在具体实施时可按不同的产品需求在条形槽上设置多个修正片,比如在条形槽内均布间隔设置三个修正片。

本实施例,通过模具在引线框架中间部分增加凸点修正,以点对点的方式使引线框架中间部分延展变长,使得引线框架中间部分与上下两边部分的长度差异减到最小达到平衡,使波浪达到客户需求。

所述修正片的上端和/或下端内凹形成开口向上或向下的圆弧凹面,该圆弧凹面与冲压级进模上工件相适配,易于固定引线框架,避免其在冲孔时因受力不均而产生形变。

所述子框架1的上下两侧设有与子框架相连的定位长条13,所述定位长条上开设有用于在冲孔时定位引线框架的定位孔131,结构简单,可进一步固定引线框架。

所述芯片安装单元11包括主芯片体111及与主芯片体相连的固定引脚112,所述主芯片体111上位于所述固定引脚112的两侧延伸有两个可弯折成集成电路的引脚的金属条113。

所述芯片安装单元11上设有多条交错相连的连接筋114,所述连接筋114的一端与相连,另一端与框架结构的边筋相连,通过连接筋固定主芯片体,大大提高了主芯片体的稳定性,对增加产品良率、降低成本等方面效果显著。

以上所述仅为本申请的较佳实施例,并非用来限定本申请实施的范围,其他凡其原理和基本结构与本申请相同或近似的,均在本申请的保护范围之内。

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