[发明专利]用于嵌入式存储器的单元边界结构及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成集成电路(IC)的方法，所述方法包括：

在半导体衬底中形成隔离结构，其中，所述隔离结构将所述半导体衬底的存储区域与所述半导体衬底的逻辑区域分隔开；

形成覆盖所述隔离结构、所述存储区域和所述逻辑区域的多层膜；

在所述存储区域上形成存储单元结构，其中，所述存储单元结构由所述多层膜形成；

形成覆盖所述存储单元结构和所述多层膜的剩余部分的伪覆盖层；

对所述多层膜和所述伪覆盖层实施第一蚀刻以从所述逻辑区域去除所述多层膜和所述伪覆盖层，从而使得所述多层膜和所述伪覆盖层限定所述隔离结构上的伪侧壁；

形成侧壁间隔件层，所述侧壁间隔件层覆盖所述伪覆盖层、所述隔离结构和所述逻辑区域并且进一步衬垫所述伪侧壁；

对所述侧壁间隔件层实施第二蚀刻，以去除所述侧壁间隔件层的水平段并且在所述伪侧壁上形成侧壁间隔件；以及

在形成所述侧壁间隔件之后，在所述逻辑区域上形成逻辑器件结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述伪覆盖层和所述侧壁间隔件共同限定位于所述隔离结构上面且面向所述逻辑区域的边界侧壁，其中，所述边界侧壁是倾斜的，并且所述边界侧壁的由所述伪覆盖层限定的部分与所述边界侧壁的由所述侧壁间隔件限定的部分连续。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述侧壁间隔件至少部分地限定位于所述隔离结构上面且面向所述逻辑区域的边界侧壁，其中，所述边界侧壁是同质的，并且所述伪侧壁是异质的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多层膜包括氧化物-氮化物-氧化物(ONO)膜、位于所述氧化物-氮化物-氧化物膜上面的多晶硅层以及位于所述多晶硅层上面的氮化物层，从而使得所述伪侧壁部分地由所述氧化物-氮化物-氧化物膜、所述多晶硅层和所述氮化物层限定。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二蚀刻完成时，所述侧壁间隔件具有三角形轮廓。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述伪侧壁是垂直的或基本垂直的，并且所述伪侧壁与所述侧壁间隔件直接接触。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成覆盖所述半导体衬底的衬垫层；

利用所述隔离结构的布局图案化所述衬垫层；

在所述衬垫层存在的情况下，对所述半导体衬底实施第三蚀刻以在所述半导体衬底中形成隔离沟槽；

用介电材料填充所述隔离沟槽以形成所述隔离结构；以及

在所述侧壁间隔件存在的情况下，对所述衬垫层实施第四蚀刻以从所述逻辑区域去除所述衬垫层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述侧壁间隔件至少部分地限定位于所述隔离结构上面且面向所述逻辑区域的边界侧壁，其中，所述伪侧壁和所述衬垫层共用材料，并且所述边界侧壁没有所述材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述逻辑器件结构包括：

在所述伪覆盖层、所述侧壁间隔件和所述逻辑区域上方形成共形高k介电层；

在所述共形高k介电层上方形成多晶硅层；以及

对所述共形高k介电层和所述多晶硅层实施第三蚀刻，以形成堆叠在所述逻辑区域上的多晶硅栅电极和高k栅极介电层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

用金属栅电极替换所述多晶硅栅电极。