[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201711161861.8 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN107768399B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 李剡劤;金钟奎;尹余镇;金在权;金每恞 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/08;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/46;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:
第一发光单元和第二发光单元,配置在基板上,所述第一发光单元和所述第二发光单元彼此隔开;
第一透明电极层,配置在所述第一发光单元上,所述第一透明电极层电性连接到所述第一发光单元;
内连线,用以电性连接所述第一发光单元与所述第二发光单元;
绝缘层,配置在所述内连线与所述第一发光单元的侧表面之间;
电流阻挡层,配置在所述第一发光单元上,且与所述绝缘层连接;以及
绝缘保护层,配置在所述第一发光单元和所述第二发光单元上,所述绝缘保护层配置在用以配置所述内连线的区域之外,
其中所述第一发光单元及所述第二发光单元的每一个包括下半导体层、上半导体层、及配置在所述下半导体层与所述上半导体层之间的主动层,
其中所述第一透明电极层具有第一部分及第二部分,所述第一部分配置在所述内连线与所述电流阻挡层之间的,所述第二部分配置在所述第一发光单元的所述上半导体层上,
其中配置在所述第一发光单元的所述上半导体层上的所述电流阻挡层的第一端与所述内连线不重叠,且配置在所述第一发光单元的所述上半导体层上的所述电流阻挡层的第二端与所述第一透明电极层不重叠。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其中所述电流阻挡层的所述第一端与所述第一透明电极层重叠。
3.根据权利要求1所述的发光二极管,其中配置在所述第一发光单元的所述上半导体层上的所述绝缘保护层的侧表面与所述内连线的侧表面接触。
4.根据权利要求3所述的发光二极管,其中所述发光二极管还包括与所述内连线的所述侧表面接触的所述绝缘保护层的第一端,所述绝缘保护层的所述第一端与所述电流阻挡层的所述第一端重叠。
5.根据权利要求1所述的发光二极管,其中所述电流阻挡层和所述绝缘层包括分布式布拉格反射器。
6.一种发光二极管,其特征在于,包括:
第一发光单元和第二发光单元,配置在基板上,所述第一发光单元和所述第二发光单元彼此隔开;
第一透明电极层,配置在所述第一发光单元上,所述第一透明电极层电性连接到所述第一发光单元;
内连线,用以电性连接所述第一发光单元与所述第二发光单元;
绝缘层,配置在所述内连线与所述第一发光单元的侧表面之间;
电流阻挡层,配置在所述第一发光单元上,且与所述绝缘层连接;以及
绝缘保护层,配置在所述第一发光单元和所述第二发光单元上,所述绝缘保护层配置在用以配置所述内连线的区域之外,
其中所述第一发光单元及所述第二发光单元的每一个包括下半导体层、上半导体层、及配置在所述下半导体层与所述上半导体层之间的主动层,
其中所述第一透明电极层具有第一部分及第二部分,所述第一部分配置在所述内连线与所述电流阻挡层之间的,所述第二部分配置在所述第一发光单元的所述上半导体层上,
其中配置在所述第一发光单元的所述上半导体层上的所述绝缘保护层的第一侧表面与所述内连线的第一侧表面接触,
其中所述电流阻挡层的第一端在所述第一发光单元的所述上半导体层上延伸超过所述内连线的所述第一侧表面。
7.根据权利要求6所述的发光二极管,其中配置在所述第一发光单元的所述上半导体层上的所述电流阻挡层的第二端与所述第一透明电极层不重叠。
8.根据权利要求7所述的发光二极管,其中所述电流阻挡层的所述第一端与所述第一透明电极层重叠。
9.根据权利要求8所述的发光二极管,其中所述发光二极管还包括与所述内连线的所述第一侧表面接触的所述绝缘保护层的第一端,所述绝缘保护层的所述第一端与所述电流阻挡层的所述第一端重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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