[发明专利]用于形成半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体管芯上形成硅酮层（110）；

对硅酮层的硅酮表面进行等离子体处理（120）；

在硅酮层的经等离子体处理的硅酮表面上沉积表面活性剂（130），以获得至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面；和

在至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面上形成模制物（140），

其中所述表面活性剂包括表面活性剂分子，所述表面活性剂分子包括以有机复合物终止的无机构架。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体处理（120）包括利用如下各项中的至少一项来处理硅酮层的硅酮表面：氩/氧等离子体、氩等离子体、氧等离子体、氢等离子体和氦等离子体。

3.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体管芯上形成硅酮层（210）；

利用氩或氩/氧等离子体对硅酮层的硅酮表面进行等离子体处理（220）；

在硅酮层的经等离子体处理的硅酮表面上沉积表面活性剂（230），以获得至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面；

在至少部分地被表面活性剂覆盖的经等离子体处理的硅酮表面上方形成模制物（240），

其中所述表面活性剂包括表面活性剂分子，所述表面活性剂分子包括以有机复合物终止的无机构架。

4.根据权利要求3所述的方法，其中模制物在硅酮表面上方的形成（240）在对硅酮层的硅酮表面的等离子体处理（220）之后12小时内被执行。

5.根据权利要求1-3之一所述的方法，其中，所述表面活性剂的沉积包括在经等离子体处理的硅酮层的至少一部分上形成表面活性剂单层。

6.根据权利要求1-3之一所述的方法，其中，所述表面活性剂发生反应以在硅酮层与模制物之间形成共价键。

7.根据权利要求1-3之一所述的方法，其中，表面活性剂的沉积利用表面活性剂覆盖所述硅酮表面的至少60％。

8.根据权利要求1-3之一所述的方法，其中，通过沉积至少所述表面活性剂与丙酮的稀释液来沉积所述表面活性剂。

9.根据前述权利要求1-3之一所述的方法，其中，所述等离子体处理包括溅射硅酮层的一部分，以获得硅酮层的经等离子体处理的硅酮表面。

10.根据前述权利要求1-3之一所述的方法，其中，在半导体管芯的表面的至少70％上形成硅酮层。

11.根据前述权利要求1-3之一所述的方法，其中，形成硅酮层包括构造可光图案化的硅酮。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成硅酮层包括在构造可光图案化的硅酮之前在半导体管芯上沉积所述可光图案化的硅酮。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括在构造所述硅酮层之后接合半导体管芯。

14.根据前述权利要求1-3之一所述的方法，其中，在形成模制物之后所述硅酮层的经等离子体处理的硅酮表面被模制物完全覆盖。

15.一种半导体器件（300），包括：

半导体管芯（302）；

硅酮层（304），定位在所述半导体管芯上，其中硅酮层的硅酮表面至少部分地被表面活性剂（306）覆盖；和

模制物（308），被定位成邻近至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面；

其中所述表面活性剂包括表面活性剂分子，所述表面活性剂分子包括以有机复合物终止的无机构架。