[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。

背景技术

由于现有电子器件碳基薄膜晶体管研究集中在如何提高半导体薄膜的密度、均匀度，如何调控沟道中载流子的极性，以及如何提高载流子迁移率等性能方面，对有源层与源漏极金属电极的接触电阻研究很少，而接触电阻对调控电子器件的性能有重要影响，例如电子器件开态电流及载流子的迁移率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，用于减小有源层与源、漏极金属电极的接触电阻，提高电子器件的开态电流以及载流子的迁移率。

本发明提供了一种阵列基板，包括:基板、设于所述基板上的有源层、导电层、源极、漏极，所述导电层设于所述有源层的相对两侧并且与所述有源层接触，所述导电层在所述有源层上形成露出所述有源层部分表面的间隙，所述源极及所述漏极分别设于所述有源层相对两侧的所述导电层上。

其中，所述导电层的材料为石墨烯。

其中，所述基板的表面设有栅极及覆盖所述栅极的栅极绝缘层，所述有源层设于所述栅极绝缘层上。

其中。所述阵列基板还包括绝缘保护层、设于所述绝缘保护层上的栅极及覆盖所述栅极的钝化保护层，所述绝缘保护层覆盖所述源级、所述漏极及所述有源层上的间隙。

其中，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述源极、所述漏极及所述有源层上的间隙。

本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，彩膜基板及密封于所述阵列基板与彩膜基板之间的液晶分子层。

本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

提供一基板，在所述基板上沉积有源层；

在所述有源层的相对两侧形成与所述有源层接触的导电层，其中，所述导电层在有源层上形成露出所述有源层部分表面的间隙；

在所述有源层相对两侧的所述导电层上分别形成源极及漏极。

其中，在所述有源层的相对两侧形成与所述有源层接触的导电层的步骤包括：在所述基板上沉积底栅极，在所述底栅极上沉积覆盖所述底栅极的栅极绝缘层。

其中，在所述有源层相对两侧的所述导电层上分别形成源极及漏极的步骤还包括在所述源极、所述漏极及所述有源层上的间隙沉积绝缘保护层,在所述绝缘保护层上沉积顶栅极及在所述顶栅极上沉积覆盖所述顶栅极的钝化保护层。

其中，采用光刻胶保护所述有源层上的间隙，将所述基板浸入到导电层溶液中沉积所述导电层，沉积完成后的所述基板在150℃下烘烤30分钟去除多余的导电层溶液，将所述基板干燥。

综上所述，本发明在所述有源层与所述源极以及与所述漏极之间增加一层石墨烯导电层，使所述源极与所述漏极之间形成良好的导电，有效降低所述有源层与所述源极以及所述漏极之间的接触电阻，进而有效提高电子器件的开态电流以及载流子的迁移率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图。

图2是本发明实施例二提供的一种阵列基板的结构示意图。

图3是本发明实施例三提供的一种阵列基板的结构示意图。

图4是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。

图5是本发明实施例的阵列基板制作方法流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。