[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法在审
申请号: | 201711143747.2 | 申请日: | 2017-11-17 |
公开(公告)号: | CN107946316A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 谢华飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基板、设于所述基板上的有源层、导电层、源极、漏极,所述导电层设于所述有源层的相对两侧并且与所述有源层接触,所述导电层在所述有源层上形成露出所述有源层部分表面的间隙,所述源极及所述漏极分别设于所述有源层相对两侧的所述导电层上。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层的材料为石墨烯。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述基板的表面设有栅极及覆盖所述栅极的栅极绝缘层,所述有源层设于所述栅极绝缘层上。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括绝缘保护层、设于所述绝缘保护层上的栅极及覆盖所述栅极的钝化保护层,所述绝缘保护层覆盖所述源级、所述漏极及所述有源层上的间隙。
5.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括绝缘层,所述绝缘层覆盖所述源极、所述漏极及所述有源层上的间隙。
6.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板,彩膜基板及密封于所述阵列基板与彩膜基板之间的液晶分子层。
7.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一基板,在所述基板上沉积有源层;
在所述有源层的相对两侧形成与所述有源层接触的导电层,其中,所述导电层在有源层上形成露出所述有源层部分表面的间隙;
在所述有源层相对两侧的所述导电层上分别形成源极及漏极。
8.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述有源层的相对两侧形成与所述有源层接触的导电层的步骤包括:在所述基板上沉积底栅极,在所述底栅极上沉积覆盖所述底栅极的栅极绝缘层。
9.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述有源层相对两侧的所述导电层上分别形成源极及漏极的步骤还包括在所述源极、所述漏极及所述有源层上的间隙沉积绝缘保护层,在所述绝缘保护层上沉积顶栅极及在所述顶栅极上沉积覆盖所述顶栅极的钝化保护层。
10.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,采用光刻胶保护所述有源层上的间隙,将所述基板浸入到导电层溶液中沉积所述导电层,沉积完成后的所述基板在150℃下烘烤30分钟去除多余的导电层溶液,将所述基板干燥。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的