[发明专利]成膜装置

权利要求书

1.一种成膜装置，其具备：

成膜室，收容基板并进行成膜处理；

气体供给部，设置在所述成膜室的上部，并向所述基板上供给工艺气体；以及

加热器，对所述基板进行加热；

所述成膜室具有温度上升抑制区域，所述温度上升抑制区域位于所述气体供给部的下部，并且抑制供给到所述加热器上部的所述气体的温度上升。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

进一步具备第一冷却部，所述第一冷却部设置在位于所述温度上升抑制区域周围的所述成膜室的第一侧壁部，并使用制冷剂抑制所述温度上升抑制区域的所述气体的温度上升。

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

位于所述温度上升抑制区域周围的所述成膜室的第一侧壁部的内径小于位于该第一侧壁部的下方的所述成膜室的第二侧壁部的内径，

进一步具备反射器，所述反射器设置在所述第一侧壁部和所述第二侧壁部之间的台阶部，并反射来自所述加热器的热量，

所述反射器比所述第一侧壁部更向所述成膜室的内侧突出。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述气体供给部进一步具备节流孔部，所述节流孔部设置在所述气体供给部的喷嘴的侧面，相对于气体的供给方向向大致垂直的方向突出。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述气体供给部向所述成膜室供给混合气体，所述混合气体预先混合了构成所述工艺气体的多个原料气体中的至少两种以上原料气体。

6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述气体供给部具备：

至少一个流量控制部，确定所述工艺气体的流量；

至少一个第一喷嘴，分别使用所述流量控制部向所述成膜室供给规定流量的所述工艺气体；以及

第二喷嘴，向所述成膜室供给未供给到所述第一喷嘴的剩余的所述工艺气体。

7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，

当设所述第一喷嘴以及第二喷嘴的个数为n时，设置在所述第一喷嘴以及第二喷嘴的所述流量控制部的个数为n-1，其中，n为2以上的整数。

8.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述气体供给部根据距离所述基板的中心的距离改变所述工艺气体的流量。