[发明专利]柔性显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201711121608.X | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107946342B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 邓伟;孙文 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G09F9/30 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种柔性显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,所述柔性显示基板的走线区(包括弯折区)未覆盖平坦化层,至少在所述柔性显示基板的走线区的导电图形的上表面和侧壁上覆盖有保护膜,所述保护膜能够防止导电图形受到刻蚀液的腐蚀。本发明的技术方案能够提高显示装置的良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种柔性显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着手机等显示装置的不断发展,对显示基板的技术要求越来越苛刻,以 OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)为基础的柔性显示技术受到了极大的关注。柔性OLED显示基板,为了缩减边框宽度,走线区需要弯折到显示基板背面。为了便于弯折,要尽量减少走线区(包括弯折区)的膜层厚度,如去掉走线区的平坦化层。在去掉走线区的平坦化层后,在后续的制作工艺中形成OLED显示基板的阳极时,对阳极进行刻蚀的刻蚀液将会与走线区无平坦化层(有钝化作用)保护的源漏金属层图形接触,进而腐蚀走线区的源漏金属层图形,导致显示装置出现异常,造成显示装置良率的降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种柔性显示基板及其制作方法、显示装置,能够提高显示装置的良率。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种柔性显示基板,所述柔性显示基板的走线区未覆盖平坦化层,至少在所述柔性显示基板的走线区的导电图形的上表面和侧壁上覆盖有保护膜,所述保护膜能够防止导电图形受到刻蚀液的腐蚀。
进一步地,所述导电图形为源漏金属层图形。
进一步地,所述保护膜采用Ti。
进一步地,所述保护膜的厚度小于
进一步地,所述导电图形采用Ti/Al/Ti的叠层结构。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的柔性显示基板。
本发明实施例还提供了一种柔性显示基板的制作方法,所述柔性显示基板的走线区未覆盖平坦化层,所述制作方法包括:
至少在位于所述柔性显示基板的走线区的导电图形的表面和侧壁上形成保护膜,所述保护膜能够防止导电图形受到刻蚀液的腐蚀。
进一步地,形成所述保护膜包括:
在形成有所述导电图形的柔性显示基板上沉积保护材料层;
对所述保护材料层进行干刻,干刻过程中,控制所述保护材料层在平行于所述柔性显示基板的方向上的刻蚀速率小于在垂直于所述柔性显示基板的方向上的刻蚀速率,使得在所述导电图形的上表面和侧壁均残留保护材料形成所述保护膜。
进一步地,对所述保护材料层进行干刻的刻蚀设备的等离子源的功率小于 10KW,偏压源的功率大于6KW,腔体气压10mTorr,刻蚀气体CL2总流量 2500sccm。
进一步地,形成所述保护膜之后,所述方法还包括:
在形成有所述保护膜的柔性显示基板上形成平坦化层的图形,所述平坦化层的图形未覆盖所述走线区;
沉积导电材料,对所述导电材料进行构图形成所述柔性显示基板的阳极。
本发明的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,至少在柔性显示基板的走线区的导电图形的表面和侧壁上覆盖有保护膜,保护膜能够防止导电图形受到刻蚀液的腐蚀,在后续的制作工艺中形成柔性显示基板的阳极时,由于有了保护膜的保护,对阳极形成材料进行刻蚀的刻蚀液将不会与走线区无平坦化层保护的导电图形接触,因而也不会腐蚀走线区的导电图形,因此,能够提高显示装置的良率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的