[发明专利]等离子体腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种等离子体腔室，包括腔体、保护筒、基座及卡环，其特征在于，所述腔体内还设有壳体；在所述等离子体腔室进行反应加工时，所述壳体的内表面和所述保护筒的内表面围成第一空间，所述基座和所述卡环位于所述第一空间内；所述基座能够施加射频功率；所述腔体的内表面、所述壳体的外表面和所述保护筒的外表面之间形成第二空间；所述壳体接地，用以对所述第二空间屏蔽来自所述基座和所述卡环上施加的射频功率。

2.根据权利要求1所述的等离子体腔室，其特征在于，所述壳体为一端封闭一端开口的套筒件；

所述壳体的开口朝向所述保护筒的底部设置。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体腔室，其特征在于，

所述壳体与所述基座的底部固定，能随所述基座升降而升降；

所述壳体的内侧壁与所述保护筒的外侧壁之间存在预设间隙，所述预设间隙用于阻挡等离子体进入所述第二空间且保证所述壳体顺利在所述保护筒的侧壁外侧随着所述基座升降。

4.根据权利要求3所述的等离子体腔室，其特征在于，所述基座包括基座本体和基座保护罩，所述基座保护罩包围所述基座本体的下表面和侧壁；所述基座保护罩接地；所述壳体与所述基座保护罩固定连接。

5.根据权利要求3所述的等离子体腔室，其特征在于，所述保护筒的下端部形成有朝向所述保护筒的中心延伸的环形悬臂；

所述卡环的内环部分叠压在位于所述基座上基片的边缘区域，外环部分叠压在所述环形悬臂上。

6.根据权利要求5所述的等离子体腔室，其特征在于，所述卡环的下表面形成有至少两个第一环形挡墙；

所述环形悬臂的上表面形成有至少两个第二环形挡墙；

所述第一环形挡墙和所述第二环形挡墙在所述卡环叠压在所述环形悬臂上时二者交替排列。

7.根据权利要求1所述的等离子体腔室，其特征在于，所述保护筒的下部位于所述腔体内，所述保护筒的上端贯穿所述腔体的顶壁位于所述腔体的外部。

8.根据权利要求1所述的等离子体腔室，其特征在于，所述保护筒的上端面所在位置作为靶材位，用于安装靶材；所述靶材位于所述第一空间的顶部。

9.一种半导体加工设备，包括等离子体腔室，其特征在于，所述等离子体腔室采用权利要求1-8任意一项所述的等离子体腔室。

10.根据权利要求9所述的半导体加工设备，其特征在于，所述等离子体腔室为磁控溅射沉积腔室。