[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明涉及显示器技术领域，具体是公开了一种薄膜晶体管阵列基板，其包括玻璃基板以及设置在所述玻璃基板的第一表面上的缓冲层和像素结构层，其中，所述玻璃基板的第一表面上形成有图案化的多个立体微结构，所述缓冲层与所述第一表面相互齿合。本发明还公开了如上所述阵列基板的制备方法以及包含该阵列基板的显示装置。本发明提供的薄膜晶体管阵列基板，提高了阵列基板的光线透过率。

技术领域

本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法，还涉及包含该薄膜晶体管阵列基板的显示装置。

背景技术

平板显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示装置主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)。薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，作为开光装置和驱动装置用在诸如LCD、OLED。

图1是现有的一种典型的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。如图1所示，所述薄膜晶体管阵列基板衬底基板1、缓冲层2、有源层3、栅极绝缘层4、栅极层5、层间介质层6、源漏极层7、平坦层8和像素电极层9，其中，薄膜晶体管的结构主要是由有源层3、栅极绝缘层4、栅极层5、层间介质层6和源漏极层7构成。为了衬底基板中含有的离子或者制程中带来的水氧等对薄膜晶体管的性能产生影响，如图1所示，通过是先在衬底基板1上设置缓冲层2，然后再在缓冲层2制备形成薄膜晶体管的个膜层结构，并且缓冲层2的材料采用高致密度的SiN_x，这将会造成阵列基板的穿透率损失的问题。

随着显示器的分辨率进一步提高，传统的通过改善开口率、色阻穿透率、背光亮度、液晶效率等方式改善显示面板的穿透率或者亮度表现已经逐渐面临瓶颈，如何在兼顾薄膜晶体管的电学性能不衰减的前提下改善阵列基板的穿透率成为关键的技术难题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法，通过对阵列基板中的衬底基板和缓冲层的连接界面进行改进，有效地提高了阵列基板的光线透过率。

为了实现上述目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种薄膜晶体管阵列基板，包括玻璃基板以及设置在所述玻璃基板的第一表面上的缓冲层和像素结构层，其中，所述玻璃基板的第一表面上形成有图案化的多个立体微结构，所述缓冲层与所述第一表面相互齿合。

其中，在沿所述立体微结构的高度方向上，所述立体微结构的横截面的面积逐渐减小。

其中，所述立体微结构为圆锥结构或圆台结构。

其中，所述立体微结构的高度为H，所述立体微结构底部的直径为R1，所述立体微结构顶部的直径为R2；其中，100nm≤R1≤500nm，0≤R2400nm，并且R2R1。

其中，所述立体微结构的占空比为k，0.3≤k≤1；其中，所述占空比定义为：k＝R1/L，L是指相邻的两个立体微结构的底部中心点的间距。

其中，所述缓冲层的材料为SiN_x。

其中，所述像素结构层包括多个导电功能层和位于任意两个导电功能层之间的层间绝缘层，所述层间绝缘层的材料为SiO_x。

其中，所述多个立体微结构在所述第一表面上呈规则的阵列排布。

本发明还提供了如上所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其包括步骤：