[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括玻璃基板以及设置在所述玻璃基板的第一表面上的缓冲层和像素结构层，其特征在于，所述玻璃基板的第一表面上形成有图案化的多个立体微结构，所述缓冲层与所述第一表面相互齿合，

所述缓冲层的材料为高致密度的材料，用于阻挡所述玻璃基板中含有的离子或水氧。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，在沿所述立体微结构的高度方向上，所述立体微结构的横截面的面积逐渐减小。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述立体微结构为圆锥结构或圆台结构。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述立体微结构的高度为H，所述立体微结构底部的直径为R1，所述立体微结构顶部的直径为R2；其中，100nm≤R1≤500nm，0≤R2400nm，并且R2R1。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述立体微结构的占空比为k，0.3≤k≤1；其中，所述占空比定义为：k＝R1/L，L是指相邻的两个立体微结构的底部中心点的间距。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述缓冲层的材料为SiN_x。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述像素结构层包括多个导电功能层和位于任意两个导电功能层之间的层间绝缘层，所述层间绝缘层的材料为SiO_x。

8.根据权利要求1-7任一所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述多个立体微结构在所述第一表面上呈规则的阵列排布。

9.一种如权利要求1-8任一所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1、提供玻璃基板，在所述玻璃基板上制备形成包含有图案化的多个立体微结构的第一表面；具体包括：

S11、应用阳极氧化工艺制备具有凹凸结构的多孔氧化铝模版；

S12、在所述玻璃基板上涂覆光刻胶层，应用压印工艺将所述多孔氧化铝模版的图案转移到所述光刻胶层，形成光刻胶掩膜版；

S13、在所述光刻胶掩膜版的保护下对所述玻璃基板的表面进行刻蚀处理，制备形成包含有图案化的多个立体微结构的第一表面；

S2、在所述第一表面上制备形成缓冲层，所述缓冲层填充所述立体微结构的间隙并覆盖在所述立体微结构上，所述缓冲层与所述第一表面相互齿合；

S3、在所述缓冲层上制备形成像素结构层。