[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明公开一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，为解决现有的显示基板的出光率较低的问题。所述显示基板的制备方法，包括在衬底基板上形成发光元件，还包括在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构，所述微透镜结构能够将所述发光元件发出的光线进行扩散。本发明提供的显示基板的制备方法用于制备显示基板。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，有机发光二极管(英文：Organic Light-EmittingDiode，以下简称OLED)显示基板以其自发光、抗震能力强，重量轻、体积小，携带更加方便等特点，受到了人们的广泛关注。目前，OLED显示基板主要为底发光结构，一般包括衬底基板，以及依次叠加形成在衬底基板上的栅极绝缘层、有源层、钝化层、平坦层、阳极、有机发光层和阴极等。底发光结构的OLED显示基板在实际应用时，由有机发光层发出的光会依次通过阳极、平坦层、钝化层、有源层、栅极绝缘层等多种膜层，并最终从衬底基板出射实现显示基板的出光。

但是由有机发光层发出的光线在经多种膜层传输的过程中，容易被多种膜层吸收和反射，造成光传输过程中的损失，进而导致显示基板的出光率较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，用于解决现有的显示基板的出光率较低的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一方面提供一种显示基板的制备方法，包括在衬底基板上形成发光元件，所述制备方法还包括：在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构，所述微透镜结构能够将所述发光元件发出的光线进行扩散。

进一步地，所述在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构包括：利用制作薄膜晶体管的有源层的材料，在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构。

进一步地，所述利用制作薄膜晶体管的有源层的材料，在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构包括：

在衬底基板上沉积氧化物半导体材料；

对所述氧化物半导体材料进行构图，形成过渡图形，所述过渡图形包括位于显示基板的像素发光区的待刻蚀图形和位于薄膜晶体管半导体区域的有源层图形；

对所述待刻蚀图形进行不完全刻蚀，形成所述微透镜结构。

进一步地，所述对所述待刻蚀图形进行不完全刻蚀，形成所述微透镜结构包括：

根据所述待刻蚀图形的厚度，计算将所述待刻蚀图形完全刻蚀所需要的完全刻蚀时间；

设置目标刻蚀时间，且所述目标刻蚀时间小于所述完全刻蚀时间；

根据所述目标刻蚀时间，对所述待刻蚀图形进行刻蚀，以形成所述微透镜结构。

进一步地，所述目标刻蚀时间为所述完全刻蚀时间的20％～80％。

进一步地，所述在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构包括：利用氧化铟锡材料，在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构。

基于上述显示基板的制备方法的技术方案，本发明的第二方面提供一种显示基板，采用上述显示基板的制备方法制备，所述显示基板包括：衬底基板、形成在所述衬底基板上的发光元件，以及设置在所述发光元件的出光侧的微透镜结构，所述微透镜结构能够将所述发光元件发出的光线进行扩散。

进一步地，所述显示基板还包括设置在薄膜晶体管半导体区域，且与所述微透镜结构同层设置的有源层图形；所述微透镜结构的材料与所述有源层图形的材料相同，且所述微透镜结构的厚度为所述有源层图形的厚度的20％～80％。

进一步地，所述微透镜结构的材料为氧化铟锡材料。