[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201711013764.4 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN107706227B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 王明;王东方 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制备方法,包括在衬底基板上形成发光元件,其特征在于,所述制备方法还包括:
在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构,所述微透镜结构能够将所述发光元件发出的光线进行扩散;
所述在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构包括:
利用制作薄膜晶体管的有源层的材料,在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构;
所述利用制作薄膜晶体管的有源层的材料,在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构包括:
在衬底基板上沉积氧化物半导体材料;
对所述氧化物半导体材料进行构图,形成过渡图形,所述过渡图形包括位于显示基板的像素发光区的待刻蚀图形和位于薄膜晶体管半导体区域的有源层图形;
对所述待刻蚀图形进行不完全刻蚀,形成所述微透镜结构。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述对所述待刻蚀图形进行不完全刻蚀,形成所述微透镜结构包括:
根据所述待刻蚀图形的厚度,计算将所述待刻蚀图形完全刻蚀所需要的完全刻蚀时间;
设置目标刻蚀时间,且所述目标刻蚀时间小于所述完全刻蚀时间;
根据所述目标刻蚀时间,对所述待刻蚀图形进行刻蚀,以形成所述微透镜结构。
3.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述目标刻蚀时间为所述完全刻蚀时间的20%~80%。
4.一种采用如权利要求1~3任一项所述的显示基板的制备方法制备的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:衬底基板、形成在所述衬底基板上的发光元件,以及设置在所述发光元件的出光侧的微透镜结构,所述微透镜结构能够将所述发光元件发出的光线进行扩散;
所述显示基板还包括设置在薄膜晶体管半导体区域,且与所述微透镜结构同层设置的有源层图形;
所述微透镜结构的材料与所述有源层图形的材料相同。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述微透镜结构的厚度为所述有源层图形的厚度的20%~80%。
6.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括在衬底基板上形成发光元件,其特征在于,所述制备方法还包括:
在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构,所述微透镜结构能够将所述发光元件发出的光线进行扩散;
所述在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构包括:
利用氧化铟锡材料,在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构;
所述利用利用氧化铟锡材料,在所述发光元件的出光侧形成微透镜结构包括:
在衬底基板上沉积氧化铟锡材料;
对氧化铟锡材料进行构图,形成过渡图形;
对待刻蚀图形进行不完全刻蚀,形成微透镜结构。
7.一种采用如权利要求6所述的显示基板的制备方法制备的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:衬底基板、形成在所述衬底基板上的发光元件,以及设置在所述发光元件的出光侧的微透镜结构,所述微透镜结构能够将所述发光元件发出的光线进行扩散;所述微透镜结构的材料为氧化铟锡材料。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求4、权利要求5和权利要求7中任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的