[发明专利]存储器及其形成方法、半导体器件

说明书

本发明提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。利用定义出字线导体的字线掩膜自对准地形成第一隔离屏障，并通过形成增厚层以增加第二隔离屏障的形成基底的厚度，以使形成在形成基底中的第二隔离屏障的顶表面高于第一隔离屏障的顶表面。如此，不仅可利用相交的第一隔离屏障和第二隔离屏障界定出节点接触窗，从而摒除了光刻工艺所带来的位移偏差的问题；并且，利用第一隔离屏障较低的顶表面，可实现节点接触的顶部延伸，以调整所形成的多个节点接触在其与电容器的连接面上的排布方式，从而可进一步优化电容器排布的密集程度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器及其形成方法以及一种半导体器件。

背景技术

存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储元件的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，所述栅极用于控制所述源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线导体，所述源区用于构成位线接触区，以同通过位线接触连接至一位线导体，所述漏区用于构成节点接触区，以通过一节点接触连接至存储电容器。

目前，在形成节点接触时，一般是利用光刻工艺直接定义出节点接触的形成区域，即，利用光刻工艺直接界定出所形成的节点接触的尺寸和位置。然而，在利用上述方法形成节点接触时，由于光刻工艺的对准精度的限制，从而不可避免的会产生位置偏移的问题，使所定义出的节点接触的形成区域的位置产生偏差，这将进一步导致后续所形成的节点接触与节点接触区之间无法充分接触而产生较大的接触电阻的问题。尤其是，随着器件尺寸的不断缩减，以及光刻工艺窗口的限制，使节点接触与节点接触区之间无法充分接触的问题将越发严重。

此外，在制备出所述节点接触之后，还需要对应节点接触的排布方式，形成一存储电容器在所述节点接触上。即，电容器的排布方式与节点接触的排布方式相对应，例如，当多个节点接触在其与电容器的连接面上以规则的方形阵列排布，则后续所形成的电容器也相应的呈规则的方形阵列排布。然而，随着半导体器件尺寸的不断缩减，规则的方形阵列的排布方式已无法达到足够的电容器的排布密集度，从而不利于存储器尺寸的缩减，并且由于电容器尺寸的缩减，也相应的会对电容器的电容造成影响。因此，如何提高电容器排布的密集程度，以及增加电容器的电容尤为重要。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器的形成方法，以解决现有的形成方法中在利用光刻工艺直接定义出节点接触窗时，容易产生位置偏差的问题，同时还有利于提高电容器的排布密集程度。

为解决上述技术问题，本发明提供一种存储器的形成方法，包括：

提供一衬底，在所述衬底中形成有多个有源区，所述有源区中定义有一用于形成位线接触区的第一区域和多个用于形成节点接触区的第二区域，多个所述第二区域分布在所述第一区域的两侧；

形成一字线掩膜在所述衬底上，所述字线掩膜中形成有多个沿第一方向延伸的开口，并形成多条字线导体在对应所述开口的所述衬底中；

对准所述字线导体形成一第一隔离线在所述衬底上，所述第一隔离线填充所述开口以覆盖所述字线导体，并且所述第一隔离线的顶表面不高于所述字线掩膜的顶表面，用于构成一位于所述字线掩膜中的第一隔离屏障；

形成一增厚层在所述衬底上，所述增厚层覆盖所述第一隔离屏障和所述字线掩膜，所述增厚层和所述字线掩膜用于构成一第二隔离屏障的形成基底；

形成多个位线沟槽在所述衬底上的所述形成基底中，所述位线沟槽贯穿所述形成基底的所述增厚层和所述字线掩膜，且所述位线沟槽沿着第二方向延伸并与相应的所述有源区相交，以使相应的所述有源区中的所述位线接触区对应在所述位线沟槽中，并形成多条位线导体在所述位线沟槽中，所述位线接触区连接至所述位线导体，所述位线导体的顶表面低于所述位线沟槽的顶表面；