[发明专利]存储器及其形成方法、半导体器件

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底中形成有多个有源区，所述有源区中定义有一用于形成位线接触区的第一区域和多个用于形成节点接触区的第二区域，多个所述第二区域分布在所述第一区域的两侧；

形成一字线掩膜在所述衬底上，所述字线掩膜中形成有多个沿第一方向延伸的开口，并形成多条字线导体在对应所述开口的所述衬底中；

对准所述字线导体形成一第一隔离线在所述衬底上，所述第一隔离线填充所述开口以覆盖所述字线导体，并且所述第一隔离线的顶表面不高于所述字线掩膜的顶表面，用于构成一位于所述字线掩膜中的第一隔离屏障；

形成一增厚层在所述衬底上，所述增厚层覆盖所述第一隔离屏障和所述字线掩膜，所述增厚层和所述字线掩膜用于构成一第二隔离屏障的形成基底；

形成多个位线沟槽在所述衬底上的所述形成基底中，所述位线沟槽贯穿所述形成基底的所述增厚层和所述字线掩膜，且所述位线沟槽沿着第二方向延伸并与相应的所述有源区相交，以使相应的所述有源区中的所述位线接触区对应在所述位线沟槽中，并形成多条位线导体在所述位线沟槽中，所述位线接触区连接至所述位线导体，所述位线导体的顶表面低于所述位线沟槽的顶表面；

对准所述位线导体形成一第二隔离线在所述衬底上，所述第二隔离线填充所述位线沟槽以覆盖所述位线导体，所述第二隔离线与所述位线导体共同用于构成一位于所述形成基底中的所述第二隔离屏障，并且所述第二隔离线的顶表面高于所述字线掩膜的顶表面，使所述第二隔离线延伸至所述位线沟槽对应所述增厚层的部分中，以使所述第二隔离屏障的顶表面高于所述第一隔离屏障的顶表面；

以所述第二隔离屏障为二次掩膜，依次去除所述形成基底的所述增厚层和所述字线掩膜，以依次暴露出所述第一隔离屏障和所述节点接触区，所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障在所述衬底的表面上相交以共同界定出多个节点接触窗，每一所述节点接触区对应地暴露在一个所述节点接触窗中；以及，

填充一节点接触在所述节点接触窗中，并利用所述第一隔离屏障相对于所述第二隔离屏障较低的顶表面高度差，使所述节点接触延伸覆盖至所述第一隔离屏障的顶表面。

2.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述字线导体之前，还包括：

形成一位线接触在所述衬底上，所述位线接触嵌入在一位于所述衬底上的隔离层中并与所述位线接触区电性连接，所述位线接触区通过所述位线接触连接至所述位线导体。

3.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述位线沟槽在所述衬底上的投影完全覆盖所述位线接触区和所述位线接触，并且在所述第一方向上，所述位线接触区和所述位线接触的最大宽度尺寸均小于所述位线沟槽的最大宽度尺寸，以使所述位线接触区和所述位线接触的最大宽度尺寸均小于所述第二隔离屏障的最大宽度尺寸；在利用所述第二隔离屏障为掩膜刻蚀所述形成基底和所述隔离层以暴露出所述节点接触区时，所述隔离层中位于所述第二隔离屏障下方的部分被保留。

4.如权利要求3所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述位线沟槽包括靠近所述位线接触的底部沟槽和远离所述位线接触的顶部沟槽，所述第二隔离屏障相应的包括靠近所述位线接触的底部隔离部和远离所述位线接触的顶部隔离部，且在所述第一方向上，所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸大于所述位线接触和所述位线接触区的宽度尺寸；

在所述第一方向上，当所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的宽度尺寸小于所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸时，在利用所述第二隔离屏障为掩膜刻蚀所述形成基底和所述隔离层以暴露出所述节点接触区时，所述形成基底和所述隔离层中位于所述顶部隔离部下方的部分均被保留，被保留的所述形成基底在对应所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的位置延伸至被保留的所述隔离层的表面；以及，

在所述第一方向上，当所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的宽度尺寸等于所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸时，在利用所述第二隔离屏障为掩膜刻蚀所述形成基底和所述隔离层以暴露出所述节点接触区时，所述隔离层中位于所述底部隔离部下方的部分被保留。