[发明专利]集成电路的塑料封装的方法及集成电路

说明书

技术领域

本发明属于微电子封装领域，特别涉及一种集成电路的塑料封装的方法及集成电路。

背景技术

对于现有的一般集成电路，采用塑料封装形式大约占85％左右，主要封装形式有：PDIP(塑料双列直插封装壳)、PLCC(塑料有引线芯片载体)、QFP(四边扁平封装)、QFN(无引线四方扁平封装)、SOP(小外形封装)、薄小外形封装(TSOP)、缩小型SOP(SSOP)以及薄的缩小型SOP(TSSOP)等。

封装主要是考虑器件的功率、重量、引脚数、尺寸、密度、电响应、可靠性、热耗散等等。对于器件的功能和合格率一般不是封装技术考虑的因素。

现有的塑料封装的主要工艺流程如下：

1)Back grinding(减薄)：指将晶圆通过背面打磨使之厚度控制在一定的范围。

2)Wafer Mounting(绷膜)：绷膜主要是给晶圆的背面贴上一层有弹性和一定粘性的蓝膜，并固定在一个直径稍大的金属框架上，以利于后面的加工。为了避免粘贴不牢靠而造成划片的过程中的飞片问题，在绷膜的过程中要加60～80度的温度。

3)Wafer Sawing/Dicing Saw(划片)：划片的目的是将整个晶圆上每一个独立的电路通过高速旋转的金刚石刀片切割开来。如果前面绷膜的时候晶圆粘贴不牢靠或者有气泡存在，切割开来的Die(硅片)就会从蓝膜上飞出来，称作飞片。

4)Die Attach/Die Bonding(粘片)：粘片是通过机械臂驱动真空吸嘴将切割完成的Die/Chip(芯片)放置并焊接在载体上。根据器件的封装类型不同，载体也有区别。常规塑料封装所用的载体是引线框架。

5)Wire Bonding(键合)：用金属线将硅片上的bond pad(电气连接点)和引线框架上的lead(管脚)或者基板上的焊盘连接起来。焊接用的金属线一般用纯金。

6)Molding(模封)：该步骤指使用EPOXY MOLDING COMPOUND(固态环氧树脂模封材料)的移转注模成型制程。

7)Curing(固化)：该步骤指在一定温度下使固态环氧树脂模封材料固化成型。

8)Plating(电镀)：该步骤指采用电镀方法给封装成形好的器件引脚电镀，以增强器件的可焊性。

9)Trimming Forming(切筋成型)：该步骤指将成型的器件切开并且排列好。

10)Testing/Binning(测试/分选)：对于器件进行简单的开短路测试，把封装过程中的失效器件删选掉。

11)Marking(打印)：在器件表面打印上相关的表标识和说明。

12)Packing(包装)：采用特定防护手段(防静电、防潮等等)把器件包装好。

随着集成电路的加工集成度和封装工艺趋向复杂，在上述的封装过程中，由于Die和塑封材料的热系数不同，有可能造成产品的长期可靠性问题，这种问题对于通讯或者军用等高级别的使用会造成影响。造成在塑料封装后集成电路器件的长期可靠性存在问题，具体的表现就是器件在经过长期温度循环后会出现分层的现象。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有的集成电路的塑料封装制成的集成电路器件在经过长期温度循环后会出现分层的现象导致可靠性降低的缺陷，提供一种能够有效地提高集成电路器件的长期可靠性的集成电路的塑料封装的方法及集成电路。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

本发明提供了一种集成电路的塑料封装的方法，包括电镀步骤，其特点在于，固化成型后的集成电路器件的引脚为引线框架的一部分，所述引脚与塑封材料接触的一端为第一端，所述引脚的另一端为第二端，所述电镀步骤包括：

S₁、设置电镀区域为所述引脚的所述第二端和所述第一端间的区域，所述电镀区域与所述塑封材料间设有间隙；

S₂、采用电镀方法对所述引脚的所述电镀区域进行电镀。

本方案中，通过在电镀区和塑封材料间设置间隙，使得电镀时对于引脚与塑封材料接触的部分不被电镀到，从而减少引线框架与塑封材料的交接处的热系数的差异度，进而改善集成电路引脚处在经过长期温度循环后会出现分层的问题。

较佳地，所述引线框架与所述塑封材料接触的部分为接触区，所述方法还包括对所述引线框架的所述接触区的表面进行粗糙处理。