[发明专利]薄膜电路及其制备方法

说明书

本发明涉及薄膜电路及其制备方法，该制备方法包括：提供一介质基片；在所述介质基片上形成复合金属膜层；通过电镀加厚薄膜电路图形所在区域的位于复合金属膜层最上层的膜层，形成电镀膜层图形，所述电镀膜层图形的上表面面积大于下表面面积；在所述电镀膜层图形的侧面形成光刻胶遮挡图案，通过光刻形成薄膜电路图形。该制备方法可避免对薄膜电路图形所在区域的膜层侧面进行腐蚀，提高最终形成的薄膜电路的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及薄膜电路及其制备方法。

背景技术

薄膜电路与其他类型的电路相比，具有互连密度高和线条精度高的优点，可用于制造高功率电路。

目前制造薄膜电路通常采用镀膜工艺以及通过光刻、曝光、显影和刻蚀等构图工艺，在陶瓷或者石英等基板上制作电路结构，具体而言，主要包括以下步骤：

首先，通过镀膜工艺在基板上沉积复合金属膜层；

其次，在复合金属膜层上涂覆光刻胶，通过掩膜版对光刻胶进行曝光显影，去除电路图形部分的光刻胶，暴露出复合金属膜层，然后进行带胶电镀所需金属层，由于非电路图形部分被光刻胶覆盖遮挡，无法电镀金属层，而暴露出的部分通过电镀加厚了金属膜层；

再次，带胶电路完成后，去除光刻胶图形，对非电路图形部分的金属复合膜层进行刻蚀，以去除非电路图形部分的金属复合膜层，在刻蚀过程中，由于包括多层金属复合膜层，需要采用不同金属膜层的刻蚀液逐层刻蚀掉各层金属膜层，而不同金属复合膜层的刻蚀液之间可能具有相容性，在刻蚀非电路图形部分的金属复合膜层时，可能也会对电路图形部分的膜层的侧面进行腐蚀，因此，会影响最终的薄膜电路的性能。

发明内容

本发明提供薄膜电路及其制作方法，以解决相关技术中的不足。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种薄膜电路的制备方法，包括：

提供一介质基片；

在所述介质基片上形成复合金属膜层；

通过电镀加厚薄膜电路图形所在区域的位于复合金属膜层最上层的膜层，形成电镀膜层图形，所述电镀膜层图形的上表面面积大于下表面面积；

在所述电镀膜层图形的侧面形成光刻胶遮挡图案，通过光刻形成薄膜电路图形。

可选的，所述通过电镀加厚薄膜电路图形所在区域的位于复合金属膜层最上层的膜层，包括：

在所述复合金属膜层上形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行曝光显影后在非薄膜电路图形所在区域形成第一光刻胶图案；

在薄膜电路图形所在区域的复合金属膜层上进行电镀，加厚所述薄膜电路图形所在区域的位于复合金属膜层最上层的膜层；

剥离所述第一光刻胶图案，形成所述电镀膜层图形。

可选的，所述薄膜电路图形包括电路布线图形；

所述在所述电镀膜层图形的侧面形成光刻胶遮挡图案，通过光刻形成薄膜电路图形，包括：

通过干法刻蚀去除非电路布线图形所在区域的位于复合金属膜层的最上层的膜层；

在所述电路布线图形所在区域以及非电路布线所在区域形成第二光刻胶层，对所述第二光刻胶层进行曝光显影后在所述电镀膜层图形的侧面形成第一光刻胶遮挡图案；

通过湿法一次性刻蚀去除非电路布线图形所在区域的位于复合金属膜层的最上层以外的膜层；

剥离所述第一光刻遮挡图案，形成所述电路布线图形。

可选的，所述薄膜电路图形包括电路布线图形和电阻图形；