[发明专利]薄膜电路及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜电路的制备方法，其特征在于，包括：

提供一介质基片；

在所述介质基片上形成复合金属膜层；

在所述复合金属膜层上形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行曝光显影后在非薄膜电路图形所在区域形成第一光刻胶图案；

在薄膜电路图形所在区域的复合金属膜层上进行电镀，加厚所述薄膜电路图形所在区域的位于复合金属膜层最上层的膜层；

剥离所述第一光刻胶图案，形成电镀膜层图形，所述电镀膜层图形的上表面面积大于下表面面积；

在所述电镀膜层图形的侧面形成光刻胶遮挡图案，通过光刻形成薄膜电路图形；

其中，所述薄膜电路图形包括电路布线图形；对应的，所述在所述电镀膜层图形的侧面形成光刻胶遮挡图案，通过光刻形成薄膜电路图形，包括：

通过干法刻蚀去除非电路布线图形所在区域的位于复合金属膜层的最上层的膜层；

在所述电路布线图形所在区域以及非电路布线所在区域形成第二光刻胶层，对所述第二光刻胶层进行曝光显影后在所述电镀膜层图形的侧面形成第一光刻胶遮挡图案；

通过湿法一次性刻蚀去除非电路布线图形所在区域的位于复合金属膜层的最上层以外的膜层；

剥离所述第一光刻遮挡图案，形成所述电路布线图形；

或者，所述薄膜电路图形包括电路布线图形和电阻图形；对应的，所述在所述电镀膜层图形的侧面形成光刻胶遮挡图案，通过光刻形成薄膜电路图形，包括：

通过干法刻蚀去除电阻图形所在区域以及非薄膜电路图形所在区域的位于复合金属膜层的最上层的膜层；

在电路布线图形所在区域、电阻图形所在区域以及非薄膜电路图形所在区域形成第三光刻胶层，对所述第三光刻胶层进行曝光显影后在所述电镀膜层图形的侧面形成第二光刻胶遮挡图案，以及在所述电路布线图形所在区域形成第二光刻胶图案；

通过湿法一次性刻蚀去除非薄膜电路图形所在区域的位于复合金属膜层的最上层以外的膜层；

剥离所述第二光刻遮挡图案和所述第二光刻胶图案；

在所述电路布线图形所在区域、电阻图形所在区域以及非薄膜电路图形所在区域形成第四光刻胶层，对所述第四光刻胶层进行曝光显影后在所述电镀膜层图形的侧面形成第三光刻胶遮挡图案；

通过湿法刻蚀去除所述电阻图形所在区域的位于所述复合金属膜层的最下层膜层以外膜层；

剥离所述第三光 刻胶遮挡图案，形成所述电路布线图形和电阻图形。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过湿法一次性刻蚀去除非电路布线图形所在区域的位于复合金属膜层的最上层以外的膜层，包括：

采用氢氟酸与硝酸的混合水溶液一次性刻蚀去除非电路布线图形所在区域的位于复合金属膜层的最上层以外的膜层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述介质基片上形成复合金属膜层，包括：

采用真空溅射工艺在所述介质基片上的依次形成氮化钽膜层、钛钨合金膜层、镍膜层和金膜层；或者

采用真空溅射工艺在所述介质基片上的依次形成钛钨合金膜层、镍膜层和金膜层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述介质基片为以下任一种基片：纯度大于99.6％的氧化铝陶瓷基片、或纯度大于98％的氮化铝陶瓷基片、蓝宝石基片或石英基片；

所述介质基片厚度范围为0.1mm至1mm。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

所述钛钨合金膜层中的钛金属与钨金属的质量为1:9。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过电镀加厚薄膜电路图形所在区域的位于复合金属膜层最上层的膜层，包括：

采用直流电镀方法加厚薄膜电路图形所在区域的位于复合金属膜层最上层的金膜层。

7.一种薄膜电路，所述薄膜电路包括介质基片和形成在所述介质基板上的薄膜电路图形，其特征在于，采用权利要求1-6任一项所述的制备方法在所述介质基板上形成所述薄膜电路图形，所述薄膜电路图形包括电镀膜层图形和位于所述电镀膜层图形下方的复合金属膜层，位于所述复合金属膜层最上层的膜层的宽度小于所述复合金属膜层中其他膜层的宽度。