[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在制造半导体装置的方法中，在衬底上形成第一有源鳍片至第三有源鳍片。第一有源鳍片至第三有源鳍片中的每一个在第一方向上延伸，且第二有源鳍片、第一有源鳍片及第三有源鳍片在第二方向上以此顺序设置，第二方向与第一方向交叉。使用第一蚀刻掩模来移除第二有源鳍片，第一蚀刻掩模覆盖第一有源鳍片及第三有源鳍片。使用第二蚀刻掩模来移除第三有源鳍片，第二蚀刻掩模覆盖第一有源鳍片及衬底的被移除第二有源鳍片的一部分。在第一有源鳍片上形成第一栅极结构。在与第一栅极结构相邻的第一有源鳍片的一部分上形成第一源极/漏极层。本发明的半导体装置可具有高的集成度及小的面积。

相关申请案的交叉引用

本申请主张在2017年3月6日在韩国知识产权局(Korean Intellectual PropertyOffice，KIPO)提出申请的韩国专利申请第10-2017-0028130号的优先权，所述韩国专利申请的内容全文并入本案供参考。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种半导体装置及其制造方法。更具体来说，本发明的示例性实施例涉及一种包括鳍片型场效晶体管(fin Field Effect Transistor，finFET)的半导体装置及其制造方法。

背景技术

鳍片型场效晶体管可包括有源鳍片、位于有源鳍片上的栅极结构、以及与栅极结构相邻的位于有源鳍片的一部分上的源极/漏极层。源极/漏极层可通过选择性外延生长(selective epitaxial growth，SEG)工艺形成。由于图案化处理的困难性，源极/漏极层可形成在并非单个有源鳍片上，而是形成在多个有源鳍片上，且因此包括鳍片型场效晶体管的半导体装置的面积可能会增大。

发明内容

根据示例性实施例，提供一种制造半导体装置的方法。在所述方法中，可在衬底上形成第一有源鳍片至第三有源鳍片。所述第一有源鳍片至所述第三有源鳍片中的每一个可在第一方向上延伸，所述第一方向实质上平行于所述衬底的上表面，且所述第二有源鳍片、所述第一有源鳍片及所述第三有源鳍片可在第二方向上以此顺序设置，所述第二方向实质上平行于所述衬底的所述上表面且与所述第一方向交叉。可使用第一蚀刻掩模来移除所述第二有源鳍片，所述第一蚀刻掩模覆盖所述第一有源鳍片及所述第三有源鳍片。可使用第二蚀刻掩模来移除所述第三有源鳍片，所述第二蚀刻掩模覆盖所述第一有源鳍片及所述衬底的被移除所述第二有源鳍片的一部分。可在所述第一有源鳍片上形成第一栅极结构。可在与所述第一栅极结构相邻的所述第一有源鳍片的一部分上形成第一源极/漏极层。

根据示例性实施例，提供一种制造半导体装置的方法。在所述方法中，可在衬底上形成多个有源鳍片。所述多个有源鳍片中的每一个可在第一方向上延伸，所述第一方向实质上平行于所述衬底的上表面，且所述多个有源鳍片可在第二方向上彼此间隔开给定的距离，所述第二方向实质上平行于所述衬底的所述上表面且实质上垂直于所述第一方向。可使用第一蚀刻掩模来蚀刻有源鳍片，所述第一蚀刻掩模覆盖所述多个有源鳍片中的第一有源鳍片及第二有源鳍片。所述第二有源鳍片可与第一有源鳍片的第一侧相邻。可使用第二蚀刻掩模来蚀刻所述有源鳍片，所述第二蚀刻掩模覆盖所述第一有源鳍片、所述第二有源鳍片的一部分及所述衬底的的一部分，所述衬底的所述一部分与可与第一有源鳍片的第二侧相邻的且使用所述第一蚀刻掩模移除的所述多个有源鳍片中的至少一个有源鳍片对应。可形成第一栅极结构及第二栅极结构。所述第一栅极结构可在所述第一有源鳍片上在所述第二方向上延伸，且所述第二栅极结构可在所述第一有源鳍片及所述第二有源鳍片的所述一部分上在所述第二方向上延伸。可形成第一源极/漏极层及第二源极/漏极层。第一源极/漏极层可位于与所述第一栅极结构相邻的第一有源鳍片的一部分上，且第二源极/漏极层可位于与所述第二栅极结构及所述第二有源鳍片的所述一部分相邻的所述第一有源鳍片的一部分上。