[发明专利]体声波谐振器及其制造方法

说明书

本发明提供一种体声波谐振器及其制造方法，所述体声波谐振器包括：膜层，设置在基板上并且形成腔；下电极，设置在所述膜层上；压电层，设置在所述下电极上；上电极，设置在所述压电层上，并且包括框架部，所述框架部设置在有效区域的边缘处并且具有比所述上电极的设置在所述有效区域的中央部分中的部分的厚度大的厚度；及频率调节层，设置在所述压电层和所述上电极上。所述频率调节层从所述框架部的倾斜表面被去除，或所述频率调节层的在所述倾斜表面上的部分的厚度小于所述频率调节层的其他部分的厚度。所述频率调节层设置在所述压电层的从所述上电极突出的部分上。

本申请要求分别于2016年10月12日和于2017年4月3日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0132113号和第10-2017-0043230号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及一种体声波谐振器及其制造方法。

背景技术

体声波(BAW)滤波器是例如智能电话或平板电脑的前端模块中允许射频(RF)信号中的期望频带内的信号通过并且阻截RF信号中的不需要的频带内的信号的核心元件。随着移动装置的市场增长，对BAW滤波器的需求已经增加。

BAW滤波器包括体声波谐振器。在作为体声波谐振器的品质因数的Q性能良好的情况下，实现从体声波谐振器仅选择期望的频带的边缘特性良好，并且插入损耗和衰减性能得以改善。

此外，为了改善体声波谐振器的Q性能，应通过在谐振器周围形成框架并且将在谐振时产生的横向波反射到谐振器中而将谐振能量限制在有效区域中。

为此，通常使用与上电极相同的材料将框架形成为比有效区域厚，然后将绝缘层沉积在上电极和框架上，以在去除操作之后执行谐振器的频率修整。

然而，由于如上所述沉积的绝缘层沉积在包括谐振器的有效区域以及框架的整个谐振器上，因此形成在框架的外表面上的绝缘层可能会导致谐振时横向波的反射损耗，从而导致谐振能量的泄漏。结果，Q性能劣化。

发明内容

提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要技术特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种体声波滤波器装置包括：膜层，设置在基板上并且与所述基板一起形成腔；下电极，设置在所述膜层上并且位于所述腔上方；压电层，设置在所述下电极上；上电极，设置在所述压电层上，并且包括框架部，所述框架部设置在有效区域的边缘处并且具有比所述上电极的设置在所述有效区域的中央部分中的部分的厚度大的厚度；及频率调节层，设置在所述压电层和所述上电极上。所述频率调节层从所述框架部的倾斜表面被去除，或所述频率调节层的设置在所述倾斜表面上的部分的厚度小于所述频率调节层的其他部分的厚度。所述频率调节层设置在所述压电层的从所述上电极突出的部分上。

所述压电层的从所述上电极突出的所述部分可以为平坦表面。

所述频率调节层可设置在所述平坦表面上。

在所述频率调节层堆叠在所述体声波谐振器中之后，通过修整操作，由于修整率不同，可使得所述频率调节层从所述倾斜表面被去除，或者可使得所述频率调节层的在所述倾斜表面上的所述部分的厚度形成为小于所述频率调节层的所述其他部分的厚度。

台阶部可设置在所述频率调节层的设置于所述框架部上的部分上。

所述体声波谐振器还可包括设置在所述上电极的部分和所述下电极的部分上的金属焊盘，其中，所述上电极的所述部分和所述下电极的所述部分上没有形成所述频率调节层。