[发明专利]半导体装置、驱动电路及显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

驱动电路，包括：

衬底上的栅电极；

所述衬底上的第一导电膜；

所述栅电极和所述第一导电膜上的第一绝缘膜；

所述栅电极上的隔着所述第一绝缘膜的一对电极；

所述第一绝缘膜上的第二导电膜；以及

所述第一导电膜和所述第二导电膜上的透光导电膜，

其中，所述第一绝缘膜包括在所述一对电极和所述第二导电膜之间的开口，

其中，所述透光导电膜电连接到所述第一导电膜和所述第二导电膜，并且

其中，所述第二导电膜与所述第一导电膜重叠。

2.一种半导体装置，包括：

驱动电路，包括：

晶体管，包括衬底上的栅电极、与所述栅电极相邻的半导体层以及电连接到所述半导体层的源电极和漏电极；

所述衬底上的第一导电膜，所述第一导电膜是使用与所述栅电极同样的导电膜而加工的；

所述栅电极和所述第一导电膜上的第一绝缘膜；

所述第一导电膜上的第二导电膜，所述第二导电膜是使用与所述源电极和所述漏电极同样的导电膜而加工的；以及

所述第一导电膜和所述第二导电膜上的透光导电膜，

其中，所述第一绝缘膜包括在所述第二导电膜与所述源电极和所述漏电极中的一方之间的开口，

其中，所述透光导电膜与所述第一导电膜直接连接，并且

其中，所述第二导电膜与所述第一导电膜重叠。

3.一种半导体装置，包括：

像素，包括第一晶体管和电连接到所述第一晶体管的像素电极；以及

驱动电路，包括：

第二晶体管，包括衬底上的栅电极、与所述栅电极相邻的半导体层以及电连接到所述半导体层的源电极和漏电极；

所述衬底上的第一导电膜，所述第一导电膜是使用与所述栅电极同样的导电膜而加工的；

所述栅电极和所述第一导电膜上的第一绝缘膜；

所述第一导电膜上的第二导电膜，所述第二导电膜是使用与所述源电极和所述漏电极同样的导电膜而加工的；以及

所述第一导电膜和所述第二导电膜上的透光导电膜，所述透光导电膜是使用与所述像素电极同样的导电膜而加工的，

其中，所述第一绝缘膜包括在所述第二导电膜与所述源电极和所述漏电极中的一方之间的开口，

其中，所述透光导电膜与所述第一导电膜直接连接，并且

其中，所述第二导电膜与所述第一导电膜重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述透光导电膜与所述第一导电膜通过所述第一绝缘膜中的所述开口直接连接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括与所述栅电极相邻的半导体层。

6.根据权利要求2、3和5中的任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体层包括氧化物半导体。

7.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，所述透光导电膜与所述第一导电膜通过所述第一绝缘膜中的所述开口直接连接。

8.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，所述透光导电膜与所述第二导电膜的顶面和侧面接触。

9.一种显示装置，包括根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置。

10.一种电子装置，包括根据权利要求9所述的显示装置。