[发明专利]一种掩模版及其成膜方法、成膜设备

说明书

本发明实施例提供一种掩模版及其成膜方法、成膜设备，涉及显示技术领域，能够解决当掩模版上的掩膜图案包括有内凸图案，在掩模版张网固定时内凸图案处由于受到的拉力不均会发生上翘，导致待成膜基板与内凸图案之间的缝隙距离较大的问题。掩模版包括遮挡部和镂空区域，遮挡部包括遮挡条和沿遮挡条宽度方向向镂空区域内延伸的凸部，在掩模版的上表面或下表面设置有凹陷区，其中，凹陷区位于或部分位于凸部。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩模版及其成膜方法、成膜设备。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器件因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。

在现有技术中，在衬底基板上制作膜层结构，通常可以通过真空蒸发镀膜、物理气相沉积成膜或化学气相沉积成膜等方式来完成。其中，对于需要在气相掺杂过程中通过化学反应形成新的物质后进行淀积成膜的膜层结构，就要使用化学气相沉积成膜的方法来进行，化学气相沉积成膜由于其设备结构简单、工艺成熟且反应后沉积形成的膜层附着力强，因此较多的运用在OLED显示器件的膜层制作中，例如，使用化学气相沉积在OLED背板表面形成封装膜层。

OLED显示器件的背板封装膜层制作工艺中，首先在衬底基板上整体形成封装膜层，然后再切割为每一个独立的OLED显示器件。在衬底基板上整体形成封装膜层时通常需要使用掩模版，掩模版上形成有对应每一个OLED显示器件的镂空区域作为掩模版的掩膜图案，以使得在沉积成膜完成后，在衬底基板上形成对应于每一个待切割的OLED显示器件的膜层图案。掩模版通常使用金属掩模版，通过张网机将金属掩模版张网拉伸后焊接固定在外框架上，以与待成膜的衬底基板之间贴合固定。但是，由于待成膜基板与掩模版之间难以保证紧密贴合，二者之间通常会产生一定的间隙，在沉积成膜时，反应形成的离子态物质不但会沉积在对应掩模版镂空区域的待成膜基板表面，还可能会进一步侵入待成膜基板与掩模版镂空区域边缘的缝隙内，导致最终在待成膜基板上形成的膜层图案与掩模版上的掩膜图案不匹配。如图1所示，尤其是对于基板上膜层图案中包括有凸部分(如图1中虚线框中所示的部分)时，掩模版在张网拉伸后，由于在内凸位置处的拉力不均，通常会导致掩模版在内凸位置处发生上翘的现象，掩模版内凸位置处与待成膜基板之间的缝隙较大，从而导致反应形成的离子态物质在该位置处向缝隙内的侵入范围更大，这样一方面对产品的外边距的设计造成较大的不确定影响，另一方面也会导致形成的膜层在切割后对OLED显示器件的封装信赖性较差。

发明内容

本发明实施例提供一种掩模版及其成膜方法、成膜设备，能够解决当掩模版上的掩膜图案包括有内凸图案，在掩模版张网固定时内凸图案处由于受到的拉力不均会发生上翘，导致待成膜基板与内凸图案之间的缝隙距离较大的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供一种掩模版，掩模版包括遮挡部和镂空区域，遮挡部包括遮挡条和沿遮挡条宽度方向向镂空区域内延伸的凸部，在掩模版的上表面或下表面设置有凹陷区，其中，凹陷区位于或部分位于凸部。

优选的，凸部和凹陷区均为轴对称结构，凸部和凹陷区的对称轴重合、且垂直于遮挡条的长度方向。

优选的，凹陷区沿掩模版的板面方向的横截面图形为圆形、椭圆形或多边形。

优选的，凹陷区的侧壁向底部的方向收敛。

进一步的，凹陷区的底面为朝向背离凹陷区表面的一侧凸起的曲面。

进一步的，凹陷区在凸部上的正投影的面积与凸部的表面积之比在1:2～4:5之间。

优选的，凹陷区在凸部上的正投影的面积与凸部的表面积之比为3:5。