[发明专利]一种掩模版及其成膜方法、成膜设备

权利要求书

1.一种掩模版，所述掩模版包括遮挡部和镂空区域，其特征在于，所述遮挡部包括遮挡条和沿所述遮挡条宽度方向向所述镂空区域内延伸的凸部，在所述掩模版的上表面或下表面设置有凹陷区，其中，所述凹陷区位于或部分位于所述凸部；

所述凹陷区的底面为朝向背离所述凹陷区表面的一侧凸起的曲面。

2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述凸部和所述凹陷区均为轴对称结构，所述凸部和所述凹陷区的对称轴重合、且垂直于所述遮挡条的长度方向。

3.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述凹陷区沿所述掩模版的板面方向的横截面图形为圆形、椭圆形或多边形。

4.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述凹陷区的侧壁向底部的方向收敛。

5.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述凹陷区在所述凸部上的正投影的面积与所述凸部的表面积之比在1:2～4:5之间。

6.根据权利要求5所述的掩模版，其特征在于，所述凹陷区在所述凸部上的正投影的面积与所述凸部的表面积之比为3:5。

7.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述凹陷区的深度与所述掩模版的厚度之比在2:5～9:10之间。

8.根据权利要求7所述的掩模版，其特征在于，所述凹陷区的深度与所述掩模版的厚度之比为3:5。

9.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述凹陷区的边缘到所述凸部的边缘之间的距离均大于等于0.3mm。

10.根据权利要求9所述的掩模版，其特征在于，所述凹陷区的边缘到所述凸部的边缘之间的距离为0.5mm。

11.一种成膜方法，其特征在于，使用如权利要求1-10任一项所述的掩模版，在基板上制作薄膜。

12.一种成膜设备，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的掩模版。