[发明专利]阵列基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710868902.0 申请日: 2017-09-22
公开(公告)号: CN107591417B 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 李洋;孟影;张立强;郑晓东;封宾;孙鹏 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 曲鹏;张京波
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提供了一种阵列基板及其制备方法。阵列基板包括栅引出线和数据引出线,还包括设置在基底上且与所述栅引出线连接的第一连接电极,以及与所述数据引出线和第一连接电极连接的第二连接电极。阵列基板的制备方法包括:在基底上形成第一连接电极和栅引出线,所述栅引出线与第一连接电极连接;形成数据引出线和第二连接电极,所述第二连接电极与所述数据引出线和第一连接电极连接。本发明通过两个或三个连接电极实现栅引出线和数据引出线的转接,增强了抗静电能力,降低了静电释放的风险,从而在整体上避免了连接电极被击穿的缺陷,并最大限度地提高了工作可靠性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

液晶显示(LiquidCrystal Display,LCD)面板作为一种平板显示(FlatPanelDisplay,FPD)装置,因具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点,越来越多地被应用于高性能显示领域中。LCD的主体结构包括对盒的阵列基板和彩膜基板,以及填充在两基板之间的液晶,阵列基板包括由多条栅线和多条数据线垂直交叉限定的多个像素单元,每个像素单元设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)。

目前,通过构图工艺制备的阵列基板包括显示区域和位于显示区域外侧的边框区域,其中,边框区域用于设置各种外围信号线,形成与控制芯片或柔性印刷电路板连接的区域。对于高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch,ADS)和高开口率高级超维场转换(High Aperture Advanced Super Dimensional Switching,HADS)模式的阵列基板,由于边框区域的外围信号线较多,同一信号线无法在单一金属层进行布置,需要借助其它金属层进行信号传递,因此边框区域通常设置有转接过孔,利用转接过孔连接不同的金属层。例如,当栅引出线由于各种原因难以布置时,需要借用数据引出线传导栅引出线信号。现有形成转接结构的方式通常是,先通过刻蚀方式在栅引出线和数据引出线位置形成过孔,然后利用导电层将过孔中暴露出的栅引出线和数据引出线连接起来,达到转接目的。

但在实际应用中,现有这种转接结构的导电层存在断路的缺陷,严重影响了产品品质。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种阵列基板及其制备方法,以克服现有转接结构的导电层存在断路的缺陷。

为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括栅引出线和数据引出线,还包括设置在基底上且与所述栅引出线连接的第一连接电极,以及与所述数据引出线和第一连接电极连接的第二连接电极。

可选地,所述数据引出线设置在覆盖所述第一连接电极和栅引出线的第一绝缘层上,所述第二连接电极设置在覆盖所述数据引出线的第二绝缘层上,所述第二绝缘层上设置有暴露出所述数据引出线和第一连接电极的第一过孔,所述第二连接电极通过所述第一过孔分别与所述数据引出线和第一连接电极连接。

可选地,还包括连接所述栅引出线和数据引出线的第三连接电极。

可选地,所述第三连接电极设置在覆盖所述数据引出线的第二绝缘层上,所述第二绝缘层上设置有暴露出所述数据引出线的第二过孔和暴露出所述栅引出线的第三过孔,所述第三连接电极通过所述所述第二过孔与数据引出线连接,通过所述第三过孔与栅引出线连接。

为了解决上述技术问题,本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法,包括:

在基底上形成第一连接电极和栅引出线,所述栅引出线与第一连接电极连接;

形成数据引出线和第二连接电极,所述第二连接电极与所述数据引出线和第一连接电极连接。

可选地,所述形成数据引出线和第二连接电极,所述第二连接电极与所述数据引出线和第一连接电极连接,包括:

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