[发明专利]半导体空腔的临时机械稳定有效

专利信息
申请号: 201710867433.0 申请日: 2017-09-22
公开(公告)号: CN107867672B 公开(公告)日: 2023-02-17
发明(设计)人: J·马勒;D·迈尔;D·波尔沃尔;A·西格尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 周家新
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 空腔 临时 机械 稳定
【说明书】:

一种用于制作电子器件的方法包括:提供半导体晶片;在所述半导体晶片中形成多个空腔;将稳定化材料填充到所述空腔中;通过将盖片施加在所述半导体晶片上来制作临时面板,所述盖片覆盖所述空腔;将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件;通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片;将每一个半导体器件的所述盖片去除;以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。

技术领域

本公开涉及一种用于制作电子器件的方法。

背景技术

例如,麦克风、压力和气体传感器在诸如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、汽车和医疗设备等的电子设备中使用。这种器件现在可以被构造为硅微机电系统(MEMS:micro-electro-mechanical system)。例如,在麦克风中,背部容积空间形成在MEMS声音装置的下方或后方。例如,术语“背部容积空间”可以指与MEMS声音部件、例如声波可能作用的膜相反的空间,并且也可以称为背侧空腔。背部容积空间在一侧由MEMS膜限制,在另一侧由覆盖麦克风空腔的盖或罩限制。

例如,如前所述,可以以半导体晶片、例如硅晶片作为开始在晶片级基础上制作MEMS器件。在例如通过刻蚀在半导体晶片中形成空腔之后,由于所述半导体晶片的低的机械稳定性,特别是如果所述空腔被刻蚀至先前已经制作在所述半导体晶片的主面上的薄MEMS结构,则可能会出现问题。对于所述半导体晶片的进一步加工,机械稳定性的这些问题可能会变成阻碍。

发明内容

根据本公开的第一方面,一种用于制作电子器件的方法包括:提供半导体晶片;在所述半导体晶片中形成多个空腔;将稳定化材料填充到所述空腔中;通过将盖片施加在所述半导体晶片上来制作临时面板,所述盖片覆盖所述空腔;将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件;通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片;将每一个半导体器件的所述盖片去除;以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。

根据本公开的第二方面,一种用于制作电子器件的方法包括:提供包括多个空腔的半导体晶片;将稳定化材料填充到所述空腔中;将所述半导体晶片单个化地分割成多个半导体器件;通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片;将所述稳定化材料从所述空腔中去除;以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。

本领域技术人员在阅读以下详细描述并考虑到附图后会认识到附加的特征和优点。

附图说明

包括附图以提供对示例的进一步理解,附图并入到说明书中并构成说明书的一部分。附图说明了示例,并与下面的描述一起用于解释示例的原理。由于参考以下详细描述变得更好理解,可以更好地明白其它示例和示例的许多预期优点。

图1示出了用于说明根据第一方面的用于制作电子器件的示例性方法的流程图。

图2示出了用于说明根据第二方面的用于制作电子器件的示例性方法的流程图。

图3包括图3A至3G,并且示出了用于说明根据一个示例的用于制作电子器件的方法的示意性侧剖视图。

具体实施方式

现在参考附图描述各方面和示例,其中,在全文中通常使用相同的附图标记来指代相同的元件。在下面的描述中,为了解释的目的,阐述了许多具体细节,以提供对示例的一个或两个以上方面的透彻理解。然而,对于本领域技术人员来说,可以以较小程度的具体细节来实施示例的一个或两个以上方面是显而易见的。在其它情况下,以示意图形式示出了已知的结构和元件,以便于描述示例的一个或两个以上方面。应当理解,在不脱离本公开的范围的情况下,可以利用其它示例,并且可以进行结构或逻辑上的改变。还应指出,附图不是按比例的或不是必须按比例的。同样在附图中,为了清楚起见,线、层和/或区域的厚度可能被夸大。

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