[发明专利]半导体空腔的临时机械稳定

权利要求书

1.一种用于制作电子器件的方法，所述方法包括：

提供半导体晶片；

在所述半导体晶片中形成多个空腔；

将稳定化材料填充到所述空腔中；

通过将盖片施加到所述半导体晶片上来制作临时面板，所述盖片覆盖所述空腔；

将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件；

通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；

将每一个所述半导体器件的所述盖片去除；以及

将嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件，

其中，所述稳定化材料具有在40℃至160℃范围内的熔化温度T_s。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：

在去除所述盖片之后，将所述稳定化材料从所述空腔中去除。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中

所述稳定化材料被配置为：在40℃至160℃范围内的温度Ta下其物理状态从非晶态变为粘弹性或反之。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中

所述稳定化材料包括热塑性材料、聚合物中的一种或两种。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中

将所述稳定化材料填充到空腔中而使得每个空腔中20％至70％的空腔容积被所述稳定化材料占据。

6.根据权利要求5所述的方法，其中

所述空腔的剩余容积被排气。

7.根据权利要求1、2、6中任一项所述的方法，其中

所述半导体晶片包括第一主面和与第一主面相反的第二主面，其中，在形成所述空腔之前，多个MEMS结构形成在第一主面处，所述空腔形成在第二主面中，使得每个MEMS结构邻近相应的空腔的底部形成。

8.根据权利要求1、2、6中任一项所述的方法，其中

形成多个空腔包括：刻蚀所述半导体晶片的半导体材料。

9.根据权利要求1、2、6中任一项所述的方法，其中

施加盖片包括：将半导体片施加到所述半导体晶片上。

10.根据权利要求1、2、6中任一项所述的方法，其中

制作嵌入式晶片包括：晶片级封装工艺。

11.根据权利要求1、2、6中任一项所述的方法，其中

去除盖片包括磨削。

12.根据权利要求1、2、6中任一项所述的方法，其中

施加盖片包括：将另外的半导体晶片施加到所述半导体晶片上。

13.根据权利要求1或2所述的方法，其中

所述稳定化材料包括蜡、聚乙烯、聚丁二烯、反式-1，4-聚丁二烯、聚丙烯、非晶态聚合物和共济失调聚苯乙烯中的一种或两种以上。

14.一种用于制作电子器件的方法，所述方法包括：

提供包括多个空腔的半导体晶片；

将稳定化材料填充到所述空腔中；

将所述半导体晶片单个化地分割成多个半导体器件；

通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；

将所述稳定化材料从所述空腔中去除；以及

将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件，

其中，所述稳定化材料具有在40℃至160℃范围内的熔化温度T_s。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述方法还包括：

根据所述方法的后续步骤的工艺温度选择稳定化材料的种类。