[发明专利]MEMS麦克风及其形成方法有效
申请号: | 201710867168.6 | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN109534277B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 王明军;汪新学;闾新明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00;H04R7/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 麦克风 及其 形成 方法 | ||
一种MEMS麦克风及其形成方法,所述MEMS麦克风包括:基板,基板包括功能区和包围功能区的支撑区,所述功能区基板中具有背腔,所述背腔贯穿所述基板;位于所述功能区基板上的第一电极膜,所述第一电极膜横跨所述背腔;位于所述支撑区基板上的支撑件,所述支撑件包括拐角区,所述拐角区包括第一拐角面和第二拐角面,所述第一拐角面与第二拐角面相交形成拐角;位于所述功能区第一电极膜上的第二电极膜,所述第二电极膜与所述支撑件接触,所述第二电极膜与所述第一电极膜之间具有间隙;位于所述支撑件拐角区表面的保护层。其中,在所述第二电极膜振动的过程中,所述保护层能够保护所述拐角,防止所述拐角开裂,从而能够延长MEMS麦克风的寿命。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种MEMS麦克风及其形成方法。
背景技术
MEMS即微机电系统(Microelectro Mechanical Systems),是在微电子技术基础上发展起来的多学科交叉的前沿研究领域。经过四十多年的发展,已成为世界瞩目的重大科技领域之一。它涉及电子、机械、材料、物理学、化学、生物学、医学等多种学科与技术,具有广阔的应用前景。
MEMS(微型机电系统)麦克风是基于MEMS技术制造的麦克风,简单的说就是一个电容器集成在微硅晶片上。MEMS麦克风能够承受很高的回流焊温度,容易与CMOS器件及其它音频电路相集成,并具有低噪声性能,从而使其应用越来越广泛。
MEMS麦克风的组成一般是由MEMS微电容传感器、微集成转换电路、声腔、RF抗干扰电路这几个部分组成的。MEMS微电容极头包括接受声音的硅振膜和硅背极,硅振膜可以直接接收到音频信号,经过MEMS微电容传感器传输给微集成电路,微集成电路把高阻的音频电信号转换并放大成低阻的电信号,同时经RF抗噪电路滤波,输出与前置电路匹配的电信号,就完成了声电转换。通过对电信号的读取,实现对声音的识别。
现有技术形成的MEMS麦克风的寿命较短。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种MEMS麦克风及其形成方法,能够延长MEMS麦克风的寿命。
为解决上述问题,本发明技术方案提供一种MEMS麦克风,包括:基板,所述基板包括功能区和包围所述功能区的支撑区,所述功能区基板中具有背腔,所述背腔贯穿所述基板;位于所述功能区基板上的第一电极膜,所述第一电极膜横跨所述背腔;位于所述支撑区基板上的支撑件,所述支撑件包括拐角区,所述拐角区包括第一拐角面和第二拐角面,所述第一拐角面与第二拐角面相交并形成拐角;位于所述功能区第一电极膜上的第二电极膜,所述第二电极膜与所述支撑件接触,所述第二电极膜与所述第一电极膜之间具有间隙;位于所述支撑件拐角区表面的保护层。
可选的,所述保护层的机械强度大于所述支撑件的机械强度,所述保护层的材料为铬金、铜、铝或钨。
可选的,所述保护层与所述连接线的材料相同;所述保护层的厚度与所述连接线的厚度相同;所述保护层的厚度为90nm~110nm。
可选的,所述第二电极膜包括:位于所述第一电极膜上的导电层;所述支撑件包括:位于所述支撑区基板上的支撑层,所述支撑层中具有开口,所述开口位于支撑区支撑层和功能区支撑层之间;位于所述支撑层上和所述开口侧壁的牺牲层。
可选的,所述第二电极膜还包括:位于所述导电层上的受力层。
可选的,所述受力层还位于所述支撑区牺牲层上,所述支撑件还包括:位于所述支撑区牺牲层上的受力层。
可选的,所述导电层的材料为多晶硅、多晶锗或多晶硅锗;所述受力层的材料为氮化硅。
可选的,还包括:连接线,所述连接线包括:连接所述第一电极膜的第一连接线;连接第二电极膜的第二连接线。
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