[发明专利]一种高可靠性的LED封装器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种高可靠性的LED封装器件及其制备方法，属于LED技术领域。

背景技术

白光LED器件是新一代照明的主流器件，其主流的封装结构为PLCC或者EMC封装结构，其封装体包括电镀铜片、由塑胶加工成型的碗杯、LED芯片、硅胶及分散于胶体中的荧光粉体、键合线。其中，键合线作为LED芯片同封装体外部电连接的重要导体，实现电连接功能，而键合线处于LED芯片、塑胶、荧光粉、硅胶等不同材料体系组成的复杂体系之间。LED在应用过程中受冷热的影响，容易造成键合线断线出现死灯。在冷热冲击的模拟测试中，该位置断裂的位置多数发生在正负极电连接线，且位于与LED芯片相连接的位置。

发明内容

基于以上不足，本发明要解决的技术问题是提供一种高可靠性的LED封装器件，其电连接线不容易断裂，器件使用寿命长。

为了解决以上技术问题，本发明采用了以下技术方案：

一种高可靠性的LED封装器件，包括LED芯片、导电载体、第一电连接线、第二电连接线、第一光转换层和第二光转换层，所述LED芯片与所述导电载体电连接，所述第一电连接线一端与所述LED芯片连接，另一端与所述导电载体连接；所述第二电连接线一端与所述 LED芯片连接，另一端与所述导电载体连接；所述第一光转换层覆盖所述第一电连接线和第二电连接线，所述第二光转换层覆盖所述第一光转换层；所述第一光转换层包括第一胶体和第一光转换物质；所述第二光转换层包括第二胶体和第二光转换物质。

所述导电载体包括第一电连接部、第二电连接部、绝缘坝、反射杯，所述绝缘坝设置在所述第一电连接部与所述第二电连接部之间，所述反射杯设置在所述第一电连接部与所述第二电连接部上，所述LED芯片与所述第一电连接部连接，所述第一电连接线与所述第一电连接部连接，所述第二电连接线与所述第二电连接部连接。

所述第一电连接线的形状为C线弧、ULL线弧或J线弧；和/或，所述第一电连接线高度为80-200um。

所述第一光转换物质为氮化物或硅酸盐。

所述第一胶体的硬度在20A至70A之间。

所述第二光转换物质为Ga-YAG、YAG、LuAG或LuYAG。

所述第二胶体的硬度在30D至70D之间。

所述绝缘坝突出所述第一电连接部与所述第二电连接部，并且形状为工字型。

所述第一电连接线和第二电连接线为金线、合金线、铜钯线或铜铝线。

采用以上技术方案，本发明取得了以下技术效果：

(1)本发明提供的一种高可靠性的LED封装器件，在第一电连接线和第二电连接线上涂覆第一光转换层，第一光转换层包括第一胶体和第一光转换物质，将胶体与光转换物质混合，可以降低线材的内应力，提高其耐冷热冲击性能；在第一光转换层上涂覆第二光转换层，所述第二光转换层包括第二胶体和第二光转换物质，可以阻止湿气侵入，实现防硫化的效果，电连接线不容易断裂，器件使用寿命长；

(2)第一光转换层包括低硬度的氮化物和第一胶体，组合涂覆包裹第一电连接线和第二电连接线，可以降低线材的内应力，降低对易断裂位置的作用力。

(3)第二光转换层包括YAG体系的第一光转换物质和高硬度的第二胶体，并覆盖在第一光转换层上方，可以阻止湿气进入，实现防硫化的效果，同时也可以避免RG粉混合使用 G粉被R粉吸收导致亮度下降，提高封装的出光效率；

(4)绝缘坝突出所述第一电连接部与所述第二电连接部，并且形状为工字型，延长湿气的进入路径，同时绝缘坝突出部分占据部分胶体空间可降低胶体CTE值过大对线材的影响，抵消胶体的内应力。

本发明另一方面要解决的技术问题是提供一种高可靠性的LED封装器件的制备方法，由此方法制得的LED封装器件的电连接线不容易断裂，器件使用寿命长，并且制作方法简单，节省成本。

为了解决以上技术问题，本发明采用了以下技术方案：

一种高可靠性的LED封装器件的制备方法，包括以下步骤：

S1：制作第一电连接部、第一电连接部；

S2：在第一电连接部、第二电连接部之间制作绝缘坝，在第一电连接部、第二电连接部周围制作反射杯，形成容纳LED芯片的载体；

S3：固定LED芯片于所述第一电连接部，将第一电连接线一端与LED芯片连接，另一端与第一电连接部连接，将第二电连接线一端与LED芯片连接，另一端与第二电连接部连接；

S4：涂覆第一光转换层将第一电连接线和第二电连接线覆盖，所述第一光转换层包括第一胶体和第一光转换物质；