[发明专利]一种钙钛矿晶体纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201710785843.0 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107681054B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 徐公杰;蔡斌;颜骥宇;田甜;吕旭东 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 31001 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米颗粒 钙钛矿 纳米线 基板 培养皿 饱和蒸气压 钙钛矿晶体 纳米晶体 合成钙钛矿 析出 基板材料 均匀附着 快速蒸发 亲疏水性 溶剂蒸发 有机溶剂 良溶剂 溶液滴 自组装 溶剂 制备 溶解 封闭 生长 暴露 | ||
1.一种钙钛矿晶体纳米线的制备方法，其特征在于：先合成钙钛矿纳米晶体颗粒，再将钙钛矿纳米晶体颗粒溶解在第一有机溶剂中，并搅拌均匀，然后将混合溶液滴加到80-150℃的基板上进行蒸发，使得钙钛矿纳米颗粒附着于基板上，将附着有钙钛矿纳米颗粒的基板置于容器中，然后滴入第二有机溶剂，所述的第二有机溶剂为所述的钙钛矿纳米晶体颗粒的良溶剂，使得所述的基板置于第二有机溶剂的饱和蒸气压下的容器中，在10～50℃的温度下培养1～15天，获得钙钛矿晶体纳米线；
所述的钙钛矿纳米晶体颗粒的分子式为ABX3，其中A为阳离子铯或者甲胺离子，B为铅或锡，X为卤素；所述的基板为第二有机溶剂的亲和基板。
2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿晶体纳米线的制备方法，其特征在于：所述的钙钛矿纳米晶体颗粒为CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3、CsPbClxBr3-x、CsPbBrxI3-x、MAPbCl3、MAPbBr3、MAPbI3、MAPbClxBr3-x、MAPbBrxI3-x、CsSnCl3、CsSnBr3、CsSnI3、CsSnClxBr3-x或者CsSnBrxI3-x，0<x<3。
3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿晶体纳米线的制备方法，其特征在于：所述的第一有机溶剂为甲醇、正丙醇、异丙醇、氯仿、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜或者乙腈中的任意一种或两种以上的组合。
4.根据权利要求1所述的一种钙钛矿晶体纳米线的制备方法，其特征在于：制备获得的钙钛矿晶体纳米线直径为2-200nm。
5.根据权利要求1所述的一种钙钛矿晶体纳米线的制备方法，其特征在于：制备获得的钙钛矿纳米线的长为5-100μm，宽为1-20μm，高0.02-5μm。
6.根据权利要求1所述的一种钙钛矿晶体纳米线的制备方法，其特征在于：所述的第二有机溶剂为甲醇、二甲基甲酰胺、乙腈或者氯仿中的任意一种。
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