[发明专利]一种显示装置用基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201710778807.1 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN109427820B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张雨竹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 用基板 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明的实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板,涉及显示技术领域,可降低存储电容所占用的面积,从而提高分辨率。一种基板,包括衬底、设置于衬底上每个子像素区域的第一TFT;第一TFT包括第一有源层和第一栅极;第一有源层包括第一有源区、位于所述第一有源区两侧的第一导体化区和第二导体化区,第一导体化区的面积大于第二导体化区的面积;第一有源区在衬底上的正投影与第一栅极在衬底上的正投影至少部分重叠;所述基板还包括电容电极,电容电极在衬底上的正投影与第一导体化区在衬底上的正投影至少部分重叠,且所述电容电极与所述第一栅极电连接;所述电容电极与所述第一有源层之间通过栅绝缘层隔离。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示装置用基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展,显示装置向着高分辨率方向发展。然而,在每个子像素中,除了TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)外,存储电容(Cst)也会占用较大的面积。因此,在满足显示要求的电容值的基础上,如何降低存储电容所占用的面积,从而提高分辨率,是一直以来存在的难题。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示装置用基板及其制备方法、显示面板,可降低存储电容所占用的面积,从而提高分辨率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种显示装置用基板,包括衬底、设置于所述衬底上每个子像素区域的第一TFT;所述第一TFT包括第一有源层和第一栅极;所述第一有源层包括第一有源区、位于所述第一有源区两侧的第一导体化区和第二导体化区,所述第一导体化区的面积大于所述第二导体化区的面积;所述第一有源区在衬底上的正投影与所述第一栅极在衬底上的正投影至少部分重叠;所述显示装置用基板还包括电容电极,所述电容电极在所述衬底上的正投影与所述第一导体化区在所述衬底上的正投影至少部分重叠,且所述电容电极与所述第一栅极电连接;所述电容电极与所述第一有源层之间通过栅绝缘层隔离。
优选的,所述第一有源层、所述栅绝缘层和所述第一栅极依次沿远离所述衬底的方向设置;所述显示装置用基板还包括设置于所述第一栅极远离所述衬底一侧的层间绝缘层、设置于所述层间绝缘层远离所述衬底一侧的第一电极和第二电极;所述第一电极与所述第一导体化区电连接,所述第二电极与所述第二导体化区电连接。
进一步优选的,所述第一电极在衬底上的正投影与所述电容电极在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
优选的,每个子像素区域还包括第二TFT;所述第二TFT包括第二有源层、第二栅极、第三电极和第四电极;所述第二有源层包括第二有源区、位于所述第二有源区两侧的第三导体化区和第四导体化区;所述第二有源区在所述衬底上的正投影与所述第二栅极在所述衬底上的正投影至少部分重叠;所述第三电极与所述第三导体化区电连接,所述第四电极与所述第四导体化区电连接,且所述电容电极与所述第一栅极通过所述第四电极电连接;其中,所述第一有源层的面积大于所述第二有源层的面积,且二者之间电性绝缘。
进一步优选的,所述第一有源层和所述第二有源层同层设置;所述第一栅极、所述第二栅极和所述电容电极同层设置;第一电极、第二电极、所述第三电极和所述第四电极同层设置。
优选的,所述显示装置用基板还包括设置于每个子像素区域的OLED元件,所述OLED元件包括阳极、有机材料功能层和阴极;所述阳极或所述阴极与所述第一电极电连接。
进一步的,所述OLED元件为顶发射型。
优选的,所述栅绝缘层的厚度在的范围内。
可选的,所述第一有源层的材料包括氧化物、非晶硅、多晶硅、有机材料中的一种。
第二方面,提供一种显示面板,包括第一方面所述的显示装置用基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710778807.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的