[发明专利]阵列基板及其制作方法、液晶显示设备及其制作方法

说明书

本发明的实施例提供了一种阵列基板及其制作方法，制作方法包括：在衬底上依次形成第一金属图案层、第一绝缘层、第二金属图案层和第二绝缘层；在第二绝缘层上涂覆光致抗蚀剂；对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案，并且形成蚀刻保护层，其中，在阵列基板的第一区中，光致抗蚀剂图案暴露第二绝缘层的顶表面的部分，并且通过蚀刻保护层与第二绝缘层接合；以及在所述第一区中，以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉蚀刻保护层并且蚀刻第二绝缘层的至少部分而不蚀刻第一绝缘层，从而暴露第二金属图案层的部分并且形成液晶导流槽。本发明的实施例还提供了一种液晶显示设备及其制作方法。

技术领域

本发明一般涉及显示技术领域。更具体地，本发明涉及一种阵列基板的制作方法和由其制作的阵列基板、液晶显示设备的制作方法和由其制作的液晶显示设备。

背景技术

随着薄膜场效应晶体管液晶显示（TFT-LCD）技术的发展和工业技术的进步，液晶显示器的生产成本持续降低并且制造工艺日益完善，因而已经取代阴极射线管显示器而成为平板显示领域中的主流技术。TFT-LCD显示器因其本身所具有的体积小、功耗低、无辐射等优点而成为理想的显示装置。TFT-LCD的基本结构包括阵列基板和彩膜基板，以及夹在这两个基板之间的液晶层（LC）。在阵列基板和彩膜基板表面布置有对液晶具有取向作用的聚酰亚胺膜PI层（配向膜层）。以现有的扭曲向列（TN）型TFT-LCD为例，TFT结构通过在玻璃基板上依次沉积栅电极和公共电极、第一绝缘层、有源层、源漏电极、第二绝缘层、像素电极来形成，其中栅电极和公共电极同层布置。

发明内容

本发明实施例旨在提供一种改进的阵列基板的制作方法和由其制作的阵列基板、液晶显示设备的制作方法和由其制作的液晶显示设备。

典型地，彩膜基板和阵列基板在对盒后通过隔垫物与彼此间隔，并且向彩膜基板和阵列基板之间的间隙注入液晶，以形成液晶层。然而，由于阵列基板各部分之间存在高度差，因此液晶可能难以流动到覆盖阵列基板的整个表面，使得所形成的液晶层在阵列基板的某些区域上出现断裂，进而影响液晶显示设备的显示效果和良率。

相应地，提出在阵列基板上形成液晶导流槽，其用于对液晶进行导流，从而在阵列基板上形成均匀分布的液晶层。然而，发明人认识到，在现有技术的液晶导流槽设计中，在蚀刻金属层上方的绝缘层以形成液晶导流槽的过程中，金属层下方的绝缘层也可能被蚀刻掉，进而在金属层下方形成过蚀刻倒角。当制作后续层时，后续层由于该过蚀刻倒角的存在而可能出现断裂，因而影响液晶显示设备的显示效果和良率。

因此，根据本发明的一方面，提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底上依次形成第一金属图案层、第一绝缘层、第二金属图案层和第二绝缘层；在第二绝缘层上涂覆光致抗蚀剂；通过对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案，并且形成蚀刻保护层。在阵列基板的第一区中，光致抗蚀剂图案暴露第二绝缘层的顶表面的部分，并且通过蚀刻保护层与第二绝缘层接合。在所述第一区中，第二绝缘层与第二金属图案层在衬底上的正投影重叠；以及在所述第一区中，以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉蚀刻保护层并且蚀刻第二绝缘层的至少部分而不蚀刻第一绝缘层，从而暴露第二金属图案层的部分并且形成液晶导流槽。

如本文所使用的，术语“液晶导流槽”是指促进液晶在阵列基板上均匀分布的结构。在上述阵列基板的制作方法中，通过形成蚀刻保护层来保护第一绝缘层，使得在以光致抗蚀剂图案作为掩模而进行蚀刻时，仅蚀刻保护层和第二绝缘层的至少部分被蚀刻掉，而第一绝缘层不被蚀刻，因而可以避免在第二金属图案层下方形成过蚀刻倒角，进而影响液晶显示设备的显示效果和良率。

根据一些实施例，光致抗蚀剂图案还暴露阵列基板的第二区中的第二绝缘层。在所述第二区中，第二绝缘层与第一金属图案层在衬底上的正投影重叠。上述方法还包括：在所述第二区中，以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉第一绝缘层和第二绝缘层，从而暴露第一金属图案层。