[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述缓冲层、所述未掺杂氮化镓层和所述N型氮化镓层依次层叠在所述衬底上，所述P型氮化镓层层叠在所述电子阻挡层上，所述多量子阱层包括多个量子阱和多个量子垒，所述多个量子阱和所述多个量子垒交替层叠设置，其特征在于，所述N型氮化镓层的第一表面具有多个凸块，所述第一表面为所述N型氮化镓层与所述未掺杂氮化镓层接触的表面的相反表面，各个所述凸块垂直于所述N型氮化镓层的层叠方向的截面面积沿所述N型氮化镓层的层叠方向逐渐减小，各个所述凸块的高度小于所述N型氮化镓层的厚度，所述多量子阱层层叠在所述多个凸块之间的N型氮化镓层上，所述多量子阱层的厚度等于各个所述凸块的高度，所述电子阻挡层层叠在所述多量子阱层和所述多个凸块上。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述多个凸块呈阵列分布在所述第一表面上。

3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，相邻两个所述凸块的形心之间的距离的整数倍等于芯片的尺寸。

4.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，相邻两个所述凸块的形心之间的距离为4mil、5mil或者0.1mm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的外延片，其特征在于，各个所述凸块的高度为20nm～200nm。

6.根据权利要求1～4任一项所述的外延片，其特征在于，各个所述凸块为圆锥或棱锥。

7.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层和N型氮化镓层；

在所述N型氮化镓层的第一表面上形成多个凸块，所述第一表面为所述N型氮化镓层与所述未掺杂氮化镓层接触的表面的相反表面，各个所述凸块垂直于所述N型氮化镓层的层叠方向的截面面积沿所述N型氮化镓层的层叠方向逐渐减小，各个所述凸块的高度小于所述N型氮化镓层的厚度；

在所述多个凸块之间的N型氮化镓层上生长多量子阱层，所述多量子阱层的厚度等于各个所述凸块的高度，所述多量子阱层包括多个量子阱和多个量子垒，所述多个量子阱和所述多个量子垒交替层叠设置；

在所述多量子阱层和所述多个凸块上生长电子阻挡层；

在所述电子阻挡层上生长P型氮化镓层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述N型氮化镓层的第一表面上形成多个凸块，包括：

采用光刻技术在所述N型氮化镓层的第一表面上所述多个凸块所在位置形成光刻胶；

干法刻蚀或者湿法腐蚀所述光刻胶之间的N型氮化镓层，在所述N型氮化镓层的第一表面上形成多个凸块；

去除所述光刻胶。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为20nm～200nm。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述各个所述凸块的高度为20nm～200nm。