[发明专利]一种图像传感器感光结构及其制作方法在审
申请号: | 201710722434.6 | 申请日: | 2017-08-22 |
公开(公告)号: | CN107452762A | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 白丽莎;张悦强;叶红波;王勇 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 感光 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种图像传感器感光结构,其特征在于,包括镀膜单元、微型透镜以及感光元件,所述感光元件位于所述微型透镜的正下方,用于接收透过微型透镜的入射光,所述微型透镜的上方覆盖镀膜单元,所述镀膜单元包括至少一种镀膜层;其中,入射光依次经过镀膜单元和微型透镜进入所述感光元件中。
2.根据权利要求1所述的一种图像传感器感光结构,其特征在于,还包括彩色滤光片,所述彩色滤光片位于微型透镜和感光元件之间。
3.根据权利要求1所述的一种图像传感器感光结构,其特征在于,所述镀膜单元为波长截止镀膜单元或增透镀膜单元。
4.根据权利要求3所述的一种图像传感器感光结构,其特征在于,所述波长截止镀膜单元为红外截止镀膜单元或紫外截止镀膜单元或可见光波长截止镀膜单元。
5.根据权利要求4所述的一种图像传感器感光结构,其特征在于,所述红外截止镀膜单元由高折射率镀膜层和低折射率镀膜层交替堆叠而成。
6.根据权利要求5所述的一种图像传感器感光结构,其特征在于,所述高折射率镀膜层的材料选自二氧化钛、五氧化三钛、二氧化锆、五氧化二钽、五氧化二铌或H4混合物中的一种或几种。
7.根据权利要求5所述的一种图像传感器感光结构,其特征在于,所述低折射率镀膜层的材料选自二氧化硅或二氟化镁中的一种或两种。
8.一种制作权利要求1所述的图像传感器感光结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S01:制作位于感光元件上方的透镜基片;
S02:在上述透镜基片上沉积介质层,通过图形化和热熔得到位于透镜基片上的微型透镜;
S03:在上述微型透镜上沉积镀膜单元。
9.根据权利要求8所述一种图像传感器感光结构的制作方法,其特征在于,步骤S02中介质层为树脂材料层,得到位于透镜基片上的微型透镜的方法具体为:
S0201:在透镜基片上旋涂树脂材料层,
S0202:在树脂材料层上溅射金属层;
S0203:在上述金属层上旋涂光刻胶;
S0204:曝光显影之后得到预设的图形;
S0205:腐蚀裸露出来的金属层,并刻蚀掉光刻胶和裸露出来的树脂材料层;
S0206:腐蚀剩余的金属层,并热熔树脂材料层,得到微型透镜。
10.一种由权利要求1所述的感光结构组成的图像传感器的感光系统,其特征在于,包括镀膜单元、微型透镜阵列以及感光元件阵列,所述微型透镜阵列由微型透镜排列组成,所述感光元件阵列由感光元件排列组成,并且感光元件与微型透镜一一对应,所述微型透镜阵列的上方覆盖镀膜单元,所述镀膜单元包括至少一种镀膜层;其中,入射光依次经过镀膜单元、微型透镜阵列进入所述感光元件阵列中,每个微型透镜及其对应的感光元件生成一个像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的