[发明专利]鳍式场效晶体管装置的制造方法

说明书

提供鳍式场效晶体管装置及制造鳍式场效晶体管装置的方法，此方法包含在鳍式场效晶体管的虚设栅极上方形成第一栅极间隔物，此方法也包含对第一栅极间隔物实施碳等离子体掺杂，此方法也包含形成多个源极/漏极区，其中源极/漏极区设置在虚设栅极的相反侧上，此方法也包含移除虚设栅极。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术，特别涉及鳍式场效晶体管装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置用于多种电子应用中，举例来说像是个人电脑、行动电话、数码相机及其他电子设备。通常通过在半导体基底上方按顺序地沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的各种材料，并使用光刻技术将各种材料层图案化，以形成电路组件及元件在半导体基底上而制造出半导体装置。

半导体产业通过不断地缩减最小部件(feature)的尺寸，而持续改善了各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这使得更多的元件可以被整合至指定的面积内。然而，随着最小部件的尺寸缩减，其所衍生出的额外问题需要解决。

发明内容

根据一些实施例，提供鳍式场效晶体管装置的制造方法。此方法包含在鳍式场效晶体管的虚设栅极上方形成第一栅极间隔物，此方法也包含对第一栅极间隔物实施第一碳等离子体掺杂，此方法也包含形成多个源极/漏极区，其中源极/漏极区设置在虚设栅极的相反侧上，此方法也包含移除虚设栅极。

根据一些实施例，提供鳍式场效晶体管装置的制造方法。此方法包含在基底上形成虚设栅极，此方法也包含在虚设栅极上方形成多个栅极间隔层，此方法也包含在这些栅极间隔层中的一或多层上实施碳等离子体掺杂工艺，此方法也包含在基底内形成多个源极/漏极区，此方法也包含实施平坦化工艺以经由这些栅极间隔层暴露出虚设栅极的表面，此方法也包含实施湿式清洁工艺以移除虚设栅极。

根据一些实施例，提供鳍式场效晶体管装置。此鳍式场效晶体管装置包含栅极电极，此鳍式场效晶体管装置也包含栅极介电层沿着栅极电极延伸，此鳍式场效晶体管装置也包含第一栅极间隔层沿着栅极介电层延伸，其中第一栅极间隔层以碳掺杂，此鳍式场效晶体管装置也包含碳膜沿着第一栅极间隔层延伸，此鳍式场效晶体管装置也包含第二栅极间隔层沿着碳膜延伸，此鳍式场效晶体管装置也包含多个外延的源极/漏极区，这些外延的源极/漏极区中的一外延的源极/漏极区设置在栅极电极的相反侧。

附图说明

通过以下的详细描述配合所附附图，可以更加理解本公开实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管装置(fin field effecttransistor，finFET)的透视示意图。

图2-图5是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管装置的制造中各个中间阶段的剖面示意图。

图6A和图6B是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管装置的制造中各个中间阶段的剖面示意图。

图7A、图7B和图7C是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管装置的制造中各个中间阶段的剖面示意图。

图8A、图8B和图8C是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管装置的制造中各个中间阶段的剖面示意图。

图9A、图9B和图9C是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管装置的制造中各个中间阶段的剖面示意图。

图10A、图10B和图10C是根据一些实施例，说明鳍式场效晶体管装置的制造中各个中间阶段的剖面示意图。

图10D是根据一些实施例，说明在工艺腔室内的鳍式场效晶体管装置的剖面示意图。