[发明专利]一种真空镀膜掺杂靶材及其制作方法及真空镀膜方法

说明书

技术领域

本发明涉及真空镀膜技术领域，更具体的说，涉及一种真空镀膜掺杂靶材及其制作方法及真空镀膜方法。

背景技术

目前真空镀膜设备采用的都是单一掺杂元素的纯金属或非金属靶材，而且每个靶材都是单独工作，不能达到不同元素材料溅射共沉积。一般镀膜设备都采用单靶或孪生靶位设计。单靶位设计，即一个电源控制一个靶材，只能溅射一种材料。孪生靶设计，一个电源控制两个靶材，交替工作，即使安装两种不同材料的靶材，也无法实现共沉积。

而制作混合靶，即将需要共沉积的材料按照一定的比例进行混合，熔融，烧结，然后进行绑定。该方式虽然可以实现不同掺杂元素共沉积，但是对于一系列不同掺杂元素组合及配比要求的靶材，需要进行大量的配料、熔融、烧结、绑定等过程，制作过程繁琐而且费时。

因此，如何方便快捷地根据掺杂元素的种类以及含量的不同进行掺杂靶材的制作，是真空镀膜领域一个亟待解决的问题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明技术方案提供了一种真空镀膜掺杂靶材及其制作方法及真空镀膜方法，可以方便快捷地根据掺杂元素的种类以及含量的不同进行掺杂靶材的制作。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种真空镀膜掺杂靶材的制作方法，所述真空镀膜掺杂靶材至少包括两种不同的掺杂元素，所述制作方法包括：

根据预设的靶材尺寸、掺杂元素的种类以及掺杂元素的掺杂含量，设计节块的形状；

选择所需掺杂元素的板状材料，根据所述形状的尺寸对所述板状材料进行切割以及打磨，形成所需掺杂元素的节块；

根据均匀分布的原则，在靶材绑定基板上按照预设的分布方式设置不同掺杂元素对应节块；

将所述节块与所述靶材绑定基板进行绑定，形成所述真空镀膜掺杂靶材；所述靶材绑定基板上绑定有多个所述节块，所述节块在第一方向上依次堆叠设置，所述第一方向平行于所述绑定基板；

对所述真空镀膜掺杂靶材进行质量检测。

优选的，在上述制作方法中，所述将所述节块与所述靶材绑定基板进行绑定包括：

采用钎焊方法将所述节块固定在所述靶材绑定基板上，相邻两个所述节块之间具有预设间距。

优选的，在上述制作方法中，所述预设间距为0.2mm-1.0mm，包括端点值。

优选的，在上述制作方法中，当所述真空镀膜掺杂靶材的掺杂元素种类改变，和/或，掺杂元素的掺杂含量改变时，所述制作方法还包括：

根据均匀性分布原则，对满足质量检测标准的所述真空镀膜掺杂靶材的相应节块进行解绑定后，在解绑定后的位置绑定相应掺杂元素的节块。

本发明还提供了一种真空镀膜掺杂靶材，所述真空镀膜掺杂靶材至少包括两种不同的掺杂元素，所述真空镀膜掺杂靶材包括：

靶材绑定基板；

绑定在所述靶材绑定基板上的多个节块；

其中，所述节块在第一方向上依次堆叠设置，所述第一方向平行于所述绑定基板；每种所述掺杂元素具有至少一个所述节块。

优选的，在上述真空镀膜掺杂靶材中，在所述第一方向上，相邻两个所述节块之间的间距范围是0.2mm-1.0mm，包括端点值。

优选的，在上述真空镀膜掺杂靶材中，所述真空镀膜掺杂靶材中的掺杂元素包括Cu以及C；

所述真空镀膜掺杂靶材具有16个所述节块，其中C的节块具有14个，Cu的节块具有2个；

所述真空镀膜掺杂靶材中Cu元素的掺杂量为41.7％。

优选的，在上述真空镀膜掺杂靶材中，所述真空镀膜掺杂靶材中的掺杂元素包括Cu以及C；

所述真空镀膜掺杂靶材具有16个所述节块，其中C的节块具有15个，Cu的节块具有1个；

所述真空镀膜掺杂靶材中Cu元素的掺杂量为25％。

本发明还提供了一种真空镀膜方法，所述真空镀膜方法包括：

采用一个真空镀膜掺杂靶材进行真空镀膜，所述真空镀膜掺杂靶材为上述任一项所述的真空镀膜掺杂靶材。

本发明还提供了一种真空镀膜方法，所述真空镀膜方法包括：

采用至少两个真空镀膜掺杂靶材进行真空镀膜，所述真空镀膜掺杂靶材中至少一个为上述任一项所述的真空镀膜掺杂靶材。