[发明专利]晶体管显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201710690882.2 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN107731852B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 裵俊和;秋秉权;姜秉薰;曺雨辰;赵玹辰;千俊赫;李智炫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;H10K71/00;H01L21/77 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 周丹;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
一种制造晶体管显示面板的方法以及晶体管显示面板,所述方法包括在基板上形成多晶硅层;通过图案化所述多晶硅层形成有源层;形成覆盖所述基板和所述有源层的第一绝缘层;通过使用抛光装置抛光所述第一绝缘层来暴露所述有源层;以及形成接触所述第一绝缘层和所述有源层的第二绝缘层,其中通过抛光所述第一绝缘层来暴露所述有源层包括在所述第一绝缘层的表面上涂布第一浆料,所述第一浆料降低所述有源层的抛光速率。
技术领域
实施方式涉及一种晶体管显示面板及其制造方法。
背景技术
在晶体管的有源层中使用的非晶硅会具有低的电子迁移率,即电荷载流子。可能难以在基板上安装使用由非晶硅制成的晶体管的驱动电路,并且在基板上可以安装使用包括由多晶硅制成的有源层的晶体管的驱动电路。
在低温条件下制造这样的多晶硅晶体管的方法可以包括固相结晶(SPC)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)、准分子激光退火(ELA)等。例如,在有机发光二极管(OLED)显示器或液晶显示器(LCD)的制造过程中,可以使用利用具有高能量的激光束用于结晶的ELA。
本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明背景的理解,因此它可以包含不形成对于本领域普通技术人员来说国内已知的现有技术的信息。
发明内容
实施方式涉及晶体管显示面板及其制造方法。
实施方式可以通过提供一种制造晶体管显示面板的方法来实现,该方法包括在基板上形成多晶硅层;通过图案化多晶硅层形成有源层;形成覆盖基板和有源层的第一绝缘层;通过使用抛光装置抛光第一绝缘层来暴露有源层;以及形成接触第一绝缘层和有源层的第二绝缘层,其中通过抛光第一绝缘层来暴露有源层包括在第一绝缘层的表面上涂布第一浆料,该第一浆料降低有源层的抛光速率。
通过抛光第一绝缘层来暴露有源层可以包括去除有源层的突起以使有源层变平。
第一浆料可以包括磨料和抛光速率降低剂,抛光速率降低剂降低有源层的抛光速率。
第一浆料可以包括与有源层反应的疏水性反应物。
晶体管显示面板的制造方法还可以包括在第一绝缘层的表面上涂布第一浆料之后,在第一绝缘层的表面上涂布疏水性反应物,该疏水性反应物是与有源层反应的。
抛光装置可以包括旋转和抛光物体的抛光部件以及测量抛光部件的摩擦力变化以控制抛光部件的旋转速度的抛光控制器,并且通过抛光第一绝缘层来暴露有源层可以包括用抛光控制器检测抛光部件的旋转速度来测量抛光部件的摩擦力变化,以及用抛光控制器在摩擦力变化的时间点停止抛光部件的旋转。
晶体管显示面板的制造方法还可以包括在第二绝缘层上的与有源层重叠的位置处形成栅极,其中第一绝缘层的上表面和第二绝缘层的上表面平行于基板的表面。
有源层自基板的表面的高度可以高于第一绝缘层自基板的表面的高度。
晶体管显示面板的制造方法还可以包括通过用抛光装置去除多晶硅层的突起来使多晶硅层变平。
使多晶硅层变平可以包括在多晶硅层的表面上涂布第二浆料,例如第二浆料可以包括抛光多晶硅层的磨料。
晶体管显示面板的制造方法还可以包括在第二绝缘层上的与有源层重叠的位置处形成栅极,其中第一绝缘层的上表面和第二绝缘层的上表面平行于基板的表面。
实施方式可以通过提供以下的晶体管显示面板来实现:所述晶体管显示面板包括基板;在基板上的有源层,该有源层包括多晶硅层;与有源层相邻的第一绝缘层;接触有源层和第一绝缘层的第二绝缘层;以及在第二绝缘层上并与有源层重叠的栅极,其中第一绝缘层的上表面和第二绝缘层的上表面平行于基板的表面,并且有源层自基板的表面的高度高于第一绝缘层自基板的表面的高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的