[发明专利]一种显示面板、其制作方法及显示装置

说明书

本发明公开了一种显示面板、其制作方法及显示装置，该显示面板，包括：衬底基板，以及依次设置于衬底基板之上的底栅膜层、有源膜层和顶栅膜层，其中，底栅膜层的图形与有源膜层的图形在衬底基板上的正投影具有第一重叠区域；顶栅膜层的图形与有源膜层的图形在衬底基板上的正投影具有第二重叠区域；第一重叠区域和第二重叠区域不完全重叠；有源膜层由金属氧化物材料构成，在有源膜层指向衬底基板的方向上，有源膜层中氧空穴的浓度呈增大的趋势。本发明实施例提供的显示面板，具有至少两种不同类型的TFT器件，不同类型的TFT器件具有不同的阈值电压，从而可以提高显示面板的工作稳定性和可靠性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种显示面板、其制作方法及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)为显示装置的各种电路中的重要部件，已广泛应用于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有机电致发光(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)中。薄膜晶体管的常见结构包括：底栅型(Back channel，BCE)，刻蚀阻挡型(Etch stopper，ESL)，以及顶栅型(Top gate)等类型。新一代薄膜晶体管技术中以铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)等金属氧化物材料作为有源层的材料。

现有技术中，整面显示面板上的金属氧化物TFT的特性均为同一水平，即显示面板上的TFT具有大致相同的阈值电压，而在显示面板正常工作时，不同功能的电路中的TFT长期处在不同的偏压作用，因而不同功能的TFT的阈值电压漂移方向不同，例如，像素电路的TFT长期处于栅极正电压作用，即长期处于正向偏置(PBTS)状态，使得TFT的阈值电压正向漂移(shift)，而扫描电路中的TFT受栅极负电压的作用，长期处于下拉状态，即长期处于负向偏置(NBTS)，使得TFT的阈值电压负向漂移。因此，在相同水平的阈值电压下，很难保证所有的TFT器件都能正常工作。

此外，在显示器件出厂前，需要进行高温高湿环境的可靠性评估(RA)，而金属氧化物TFT的高温稳定性(Bias Thermal Stress，BTS)比非晶硅(a-Si)和低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，LTPS)TFT较差，高温高湿的可靠性评估成为金属氧化物TFT量产的技术难点，而OLED器件相比于LCD器件，电路更加复杂，TFT晶体管更多，高温高湿的环境下器件的可靠性更难以保证。

然而，现有技术中，不能有效的调节金属氧化物TFT的阈值电压，如果整面显示面板上的TFT的阈值电压为同一水平，尤其在经过高温高湿的可靠性评估以后，很难保证所有的TFT器件(例如开关管或输出管等)都能正常工作。

发明内容

本发明实施例提供了一种显示面板、其制作方法及显示装置，用以解决现有技术中存在的不能有效的调节金属氧化物TFT的阈值电压，导致不能保证所有的TFT器件都能正常工作的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：衬底基板，以及依次设置于所述衬底基板之上的底栅膜层、有源膜层和顶栅膜层，其中，

所述底栅膜层的图形与所述有源膜层的图形在所述衬底基板上的正投影具有第一重叠区域；

所述顶栅膜层的图形与所述有源膜层的图形在所述衬底基板上的正投影具有第二重叠区域；

所述第一重叠区域和所述第二重叠区域不完全重叠；

所述有源膜层由金属氧化物材料构成，在所述有源膜层指向所述衬底基板的方向上，所述有源膜层中氧空穴的浓度呈增大的趋势。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成底栅膜层；

采用金属氧化物材料在所述底栅膜层之上形成有源膜层；