[发明专利]雪崩探测器

说明书

本文公开了一种雪崩探测器，包括：底座，其上设置有管脚；安装在底座上的芯片、跨阻放大器和电容，芯片、跨阻放大器和电容相互电连接，芯片、跨阻放大器和电容均与底座电连接，芯片、跨阻放大器和电容均与管脚打线连接；具有直通线路和互联线路的衬底，芯片、跨阻放大器和电容中的至少两个通过衬底间接安装在底座上，且在衬底上通过直通线路与底座电连接、通过互通线路相互电连接；管壳，盖装在底座上；和聚光透镜，安装在管壳上，减少贴片和打线数量，有效提升产品的一致性，并更好地保证产品的电磁兼容性。

技术领域

本文涉及光电器件技术领域，尤指一种雪崩探测器。

背景技术

雪崩探测器是一种常见的光电器件，作为光信号的接收器件，广泛应用于长距离光纤通信、激光测距仪、光电成像和医疗检测等领域。

传统的雪崩探测器为同轴结构，具体如图1所示(双箭头表示打线)，其制作过程为：

首先，在镀金镀镍底座100上面分别贴装陶瓷衬底600和芯片300、跨阻放大器400(TIA：trans-impedance amplifier)、电容500；其次，进行芯片300与跨阻放大器400、电容500之间的打线；再次，进行雪崩探测器芯片300、TIA、电容500与镀金镀镍底座100及管脚200之间的打线，最后，封装TO球透镜及管壳。陶瓷衬底600为利用导电导热的材料按照芯片300的尺寸制作的一种基板，其中，导电导热的材料比如：氧化铝、氮化铝等。

制成的雪崩探测器其贴片(陶瓷衬底600)过多、打线过多，致使雪崩探测器一致性较差，电磁兼容性难以控制；而且，芯片300、跨阻放大器400和电容500也不能集成在同一陶瓷衬底600上。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种雪崩探测器，可解决相关技术中贴片过多，打线过多，产品一致性较差，电磁兼容性难以控制，芯片、跨阻放大器和电容之间难以集成等的问题。

本发明提供了一种雪崩探测器，包括：底座，其上设置有管脚；安装在所述底座上的芯片、跨阻放大器和电容，所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容相互电连接，所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容均与所述底座电连接，所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容均与所述管脚打线连接；具有直通线路和互联线路的衬底，所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容中的至少两个通过所述衬底间接安装在所述底座上，且在所述衬底上通过所述直通线路与所述底座电连接、通过所述互通线路相互电连接；管壳，盖装在所述底座上；和聚光透镜，安装在所述管壳上。

可选地，所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容均通过所述衬底间接安装在所述底座上，且所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容通过三组相互独立的所述直通线路与所述底座电连接，所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容通过所述互通线路相互电连接。

可选地，所述芯片和所述跨阻放大器均通过所述衬底间接安装在所述底座上，且所述芯片和所述跨阻放大器通过两组相互独立的所述直通线路与所述底座电连接，所述芯片和所述跨阻放大器通过所述互通线路相互电连接，所述电容与所述芯片打线连接、所述电容与所述跨阻放大器打线连接。

可选地，所述芯片和所述电容均通过所述衬底间接安装在所述底座上，且所述芯片和所述电容通过两组相互独立的所述直通线路与所述底座电连接，所述芯片和所述电容通过所述互通线路相互电连接，所述跨阻放大器与所述芯片打线连接、所述跨阻放大器与所述电容打线连接。

可选地，所述跨阻放大器和所述电容均通过所述衬底间接安装在所述底座上，且所述跨阻放大器和所述电容通过两组相互独立的所述直通线路与所述底座电连接，所述跨阻放大器和所述电容通过所述互通线路相互电连接，所述芯片与所述跨阻放大器打线连接、所述芯片与所述电容打线连接。

可选地，所述衬底为硅基衬底，所述电容为硅基电容或陶瓷电容。

可选地，所述互联线路位于所述硅基衬底的内部。