[发明专利]一种GaAs基LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种GaAs基LED芯片的制备方法，其特征在于：具体步骤如下：

（1）、在GaAs基板上制备发光二极管外延片：按常规方法在GaAs基板的正面依次制作缓冲层、n-AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p-AlGaInP限制层、p-GaP窗口层；

（2）、在p-GaP窗口层上制作ITO薄膜层和金属正电极层；

（3）、将GaAs基板的背面进行减薄，将减薄后GaAs基板的背面进行彻底清洗；

（4）、在GaAs基板的背面蒸镀金属负电极层；

（5）、在420℃的氮气氛围中进行熔合，以获得GaAs基板背面的负金属层和GaAs基板形成良好的欧姆接触，同时进一步增强了GaAs基板背面的金属负电极层与GaAs基板的粘附性。

2.根据权利要求1所述的GaAs基LED芯片的制备方法，其特征在于：步骤（3）中的所述减薄后GaAs基板进行彻底清洗，包括物理清洗方法和化学清洗方法；其中化学清洗方法可以有效去除表层GaAs，包括以下步骤：

A、将待减薄的GaAs基板固定在载物盘的表面；

B、采用研磨机将GaAs基板的背面进行研磨，达到预设定的减薄厚度；

C、采用高压纯水清洗减薄后的GaAs基板的背面表面；

D、采用无尘布进行擦拭GaAs基板的背面表面，然后再次用纯水进行冲洗；

E、采用N₂枪吹除GaAs基板的背面表面的水份；

F、在GaAs基板的背面表面喷洒GaAs去除溶液，然后再用纯水进行冲洗；

G、重复步骤F至少一次；

H、采用N₂枪吹除GaAs基板的背面表面的水份；

I、采用强光灯检查GaAs基板的背面表面，得到微腐蚀的光亮洁净GaAs表面。

3.根据权利要求2所述的GaAs基LED芯片的制备方法，其特征在于：在步骤E、H中，N₂的纯度≥99.99%。

4.根据权利要求2所述的GaAs基LED芯片的制备方法，其特征在于：在步骤F中，GaAs去除溶液由氨水、双氧水、纯水组成。

5.根据权利要求2所述的GaAs基LED芯片的制备方法，其特征在于：在步骤F中，GaAs去除溶液的停滞时间≥2min。