[发明专利]一种显示装置、阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；以及

设置在所述基板上的若干个顶栅型的薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管在对应的沟道区的背光光通道上设置有光反射结构。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光反射结构为布拉格反射结构；

所述布拉格反射结构包括折射率不同的第一介质层和第二介质层；所述第一介质层和第二介质层沿所述阵列基板的厚度方向交替层叠设置；其中，所述第一介质层接触所述基板。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层的折射率均大于所述基板的折射率。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介质层与所述基板之间的折射率差小于所述第二介质层与所述基板之间的折射率差。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二介质层的折射率大于所述第一介质层的折射率，且所述第二介质层与所述第一介质层的折射率差大于或等于1。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光反射结构设置与所述薄膜晶体管的半导体有源层和所述基板之间，且所述光反射结构的两侧分别接触于所述薄膜晶体管的源极和漏极。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板还包括像素电极层和掺杂半导体层；其中，

所述像素电极层设置在所述基板与所述薄膜晶体管的源极之间，以及所述基板与所述薄膜晶体管的漏极之间；或所述像素电极层设置在所述薄膜晶体管的漏极上方，并延伸至所述基板上；

所述掺杂半导体层设置在所述半导体有源层与所述薄膜晶体管的源极和漏极之间。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述光反射结构的上表面与所述掺杂半导体层的上表面相平；且所述光反射结构的厚度等于所述源极或所述漏极、所述像素电极层和所述掺杂半导体层的厚度之和。

9.一种顶栅型阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上形成光反射结构、源极和漏极；在所述光反射结构、源极和漏极上方形成半导体有源层；在所述半导体有源层上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；其中，

所述在基板上形成光反射结构，包括：

在基板上沉积光反射层；

在所述光反射层上涂覆光阻层；

通过曝光和显影，保留所述阵列基板的沟道区处的光阻层，暴露出所述沟道区处之外的光反射层；

对暴露出的所述光反射层进行刻蚀，并剥离剩余的所述光阻层，以在所述基板上形成光反射结构。

10.一种显示装置，其特征在，包括背光组件、显示面板和驱动电路，所述驱动电路分别耦接所述背光组件和显示面板，为所述背光组件提供电源和驱动信号，且为所述显示面板提供驱动信号；

所述背光组件设置在所述显示面板下方，为所述显示面板提供背光光源；

所述显示面板中包含权利要求1至8任一项所述的阵列基板。