[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，装置包括：基板处理部，包括基板保持部及处理槽，基板保持部设置于处理槽内；外槽，与处理槽相连通，以接收处理槽输出的液体；连通部，其第一端与外槽相连接，第二端设置于基板保持部上方；药液供给部，连通设置于连通部上，药液供给部内的液体与外槽输出的液体在连通部内混合，并经由连通部输入至基板上。基于上述方案，本发明的基板处理装置将药液供给部设置于内部循环管路上，从内部循环管路处补充药液，并增加循环管路的流量，提高了药液的混合速率，可以降低内外药液的浓度差，进一步提升处理槽的制程能力及基板上小颗粒的去除能力。

技术领域

本发明属于基板处理技术领域，特别是涉及一种基板处理装置及基板处理方法，所述基板的应用具体可为半导体晶圆。

背景技术

在半导体基板的制造工序中，利用基板处理装置对具有氧化膜等绝缘膜的基板进行各种的处理。例如，通过向在表面上形成抗蚀剂的图案的基板供给药液，来对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，在结束了蚀刻等处理之后，进行去除基板上的抗蚀剂的处理。

目前，在现有的基板处理装置及方法中，例如，公开一种通过SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸-过氧化氢混合物)药液等对基板进行处理的方式，具体的，在基板处理装置中，向基板供给SPM液且进行规定时间供给，来对基板进行SPM处理，即进行借助包含在SPM液中的卡罗酸(Caro's acid)的强氧化力来去除基板上的抗蚀剂膜的去除处理，而在这个过程中，最关键的因素就是SPM药液的浓度，通常，传统的双氧水的供给补充来自外部供给，也就是说，大部分硫酸与双氧水是在外部进行反应的，同时，SPM药液的温度也控制在120～140℃，属于高温工艺，硫酸与双氧水在外部快速混合，就造成的外部药液浓度高于内部处理工艺中的药液浓度，形成了内外浓度差，然而，这个浓度差的存在会导致基板上出现小颗粒现象，导致大量残留出现，从而破坏基板。

因此，如何提供一种可以减小处理液内外浓度差的基板处理装置及基板处理方法成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基板处理装置及基板处理方法，用于解决现有技术中形成的基板处理的处理液存在内外浓度差的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基板处理装置，包括：

基板处理部，包括基板保持部及处理槽，所述基板保持部设置于所述处理槽内，其中，所述处理槽内基板处理液对所述基板保持部上的基板处理后形成残余液；

外槽，与所述处理槽相连通，以接收所述处理槽输出的液体；

连通部，所述连通部的第一端与所述外槽相连接，所述连通部的第二端与所述处理槽相连接，所述外槽经由所述连通部至所述处理槽形成一条循环回路；及

药液供给部，连通设置于所述连通部上，所述药液供给部内的液体与所述外槽输出的液体在所述连通部内混合形成混合液，并经由所述连通部输入至所述基板保持部的基板上；

其中，所述连通部包含具有所述第一端的回收管路与具有所述第二端的再利用管路，所述药液供给部连通至所述再利用管路。

作为本发明的一种优选方案，还包括液处理部，连通于所述回收管路与所述再利用管路之间，并且所述药液供给部连通至所述再利用管路，所述连通部的所述再利用管路包括第一部分及第二部分，所述第一部分为所述再利用管路在所述药液供给部连通处与所述处理槽之间的部分，所述第二部分为所述再利用管路在所述药液供给部连通处至所述连通部连通有所述液处理部之间的部分，其中，所述第一部分较短于所述第二部分。

作为本发明的一种优选方案，连通所述连通部上的所述液处理部包含第一泵体。